SAMSUNG近年一直致力于增加光刻胶供应商的计划，希望推动光刻胶供应链的多元计划，去年的时候就传出已经完成对Inpria光刻胶的性能评估并开始导入使用。Inpria拥有专注于EUV曝光工艺的差异性能光刻胶，是目前EUV时代超精细半导体工艺的核心材料，tsmc、Intel、SK海力士等世界知名半导体公司均对其进行了投资并支持其商业化。
近日，SAMSUNG取消增加光刻胶供应商的计划使得目前其3D NAND芯片的光刻胶仍由Dongjin Semichem独家供应，据悉SAMSUNG在过去和多家日本的光刻胶供应商合作洽谈，而这些洽谈的厂商没有满足SAMSUNG的技术细节要求。
光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像，是非常重要的光刻材料之一。
根据显影效果不同，光刻胶可分为正性、负性2大类，正性光刻胶，暴露在紫外线下的区域会改变结构，变得更容易溶解从而为刻蚀和沉积做好准备;如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。正性光刻胶可以达到更高的分辨率，从而让它成为光刻阶段更好的选择，因此正性光刻胶是当前半导体制造的主流。
按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。
光刻胶首先是在计算芯片上使用率最多，正占比超过一半，然后是存储芯片。对于SAMSUNG这种存储大厂来说，是3D NAND闪存芯片制作过程中非常关键的材料。NAND工艺的3D堆叠架构可以获得更大的存储容量，光刻次数随着层数增加而增加，因此KrF光刻胶对于SAMSUNG来说需求量是非常大的。