微影设备业者ASML第一季已完成136台极紫外光（EUV）曝光机出货，累计超过7,000万片晶圆完成EUV曝光。随着EUV微影技术推进，预期2025年之后新一代EUV曝光机每小时曝光产量可达220片以上，以因应客户端先进制程推进至埃米（Angstrom）世代对先进微影技术的强劲需求。
虽然2023年半导体市况能见度低且不确定性高，但包括台积电、英特尔、三星、SK海力士、美光等全球前五大半导体厂仍积极投资EUV产能，加上制程推进会带动光罩层数增加，法人乐观看好家登、帆宣、公准、意德士（等EUV概念股明年营运将优于今年。
ASML日前说明EUV技术及曝光机技术蓝图，以目前主流的0.33数值孔径（NA）来说，2021年晶圆代工5奈米制程每片晶圆平均光罩层约逾10层，但2023年制程进入3奈米之后，每片晶圆平均光罩层约将倍增达20层。
DRAM制程目前采用EUV技术完成约5层光罩层量产，但明年后将提升至8层光罩层，部分制程将会采用多层曝光（multi-patterning）而达每片晶圆10层光罩层。
过去几年包括晶圆代工厂及DRAM厂扩大资本支出建置EUV产能，ASML统计至今年第一季已完成136台EUV曝光机出货，累计采用EUV曝光的晶圆已超过7,000万片。
现阶段最新曝光机NXE：3600D的系统妥善率（availability）已优于前一代机型约达93％，并接近技术成熟的深紫外光（EUV）机型的95％。
在每平方公分30毫焦耳（mJ）的光源辐照能量情况下，NXE: 3600D每小时晶圆产出已达160片，较上一代机型提升18％。预计明年下半年推出的NXE: 3800E预计每小时晶圆产出可提升到195片以上，并有机会升级到接近220片，ASML亦说明将于2025年推出NXE：4000F新机型且每小时晶圆产出会大于220片，目标是再提升至240片。
虽然半导体市场进入库存去化阶段，但先进制程需求续强，台积电及三星将会在明年扩大3奈米EUV产能，英特尔今年底亦量产首款采用EUV技术的4奈米Intel 4制程