隧道磁阻效应是即电的自旋从一个铁磁层透过绝缘层很容易引起隧道电的流动, 也就是电流在各个方向的流动。而隧道电流流动的方向与磁场垂直的铁磁层丝状,那么电阻最大；而若磁场与电流方向平行,那么电阻最小。因此,利用磁场引起的电阻率变化而实现电信号的传感器 ,称之为隧道磁电传感器。隧道磁电传感器已经广泛应用，如，计算机、手机等。它有广泛的应用前景。霍尔元件的工作原理是通过测量电流通过一个材料时受到的洛伦兹力的变化来检测磁场的存在和方向。当材料中的电子受到磁场的作用时，它们会受到洛伦兹力的影响而偏转，从而导致电子在材料内部堆积，形成电势差，即霍尔电压。霍尔元件中的霍尔电压与磁场的强度和方向成正比。
与磁阻传感器相比，霍尔元件的磁敏度较低。然而，由于霍尔元件不依赖于磁性材料，因此可以在铁磁场或恶劣环境下工作，如高温或高湿度。因此，霍尔元件常用于电流传感器或各种磁性开关中。
总的来说，铁磁材料的磁化方向平行与不平行会影响电阻的变化，而TMR交界处的MR比率能够达到很高的数值。另外，霍尔元件是一种利用霍尔效应测量磁场的传感器，适用于磁场检测和电流传感等应用。