集微网消息，3月10日，芯德科技“CAPiC晶粒及先进封装技术平台发布会”在南京市浦口区举行。
据介绍， CAPiC晶粒及先进封装技术平台的创新成果主要包括六大核心封装技术，高密度重布线扇出结构（FOCT-R）、高密度硅通孔扇出结构（FOCT-S）、重布线及硅基埋入基板扇出结构 （SETiS/RETiS）、叠层芯片扇出结构（TMV-POP）、玻璃基扇出结构（TGV-POP）、树脂/干膜扇出结构（eWLB-F/eWLB-M）。
芯德科技董事长张国栋表示，芯德科技先进封装技术研究院在胡川院长的领导和五位特聘专家的指导下，先进封装技术已经走在业界前列，此次发布的CAPiC晶粒及先进封装技术平台和高密度重布线扇出结构（FOCT-R）无疑是中国集成电路先进封装领域的又一里程碑。
近年来芯德科技研究院团队围绕Chiplet相关技术进行重点开发，力争为客户提供更多更优的先进封装技术解决方案，特别是可以通过高密度的晶圆级RDL集成来降低基板的设计层数，甚至可达到替代基板的作用。
会上，江苏芯德半导体科技有限公司和深圳修远电子科技有限公司的战略合作签约仪式，双方将在先进封装技术继续开展深入合作。
此外，芯德科技董事长张国栋为东南大学史泰龙博士颁发了特聘专家证书，正式聘任史泰龙博士为芯德科技先进封装技术研究院第六名特聘专家，双方将玻璃基板封装技术等先进封装技术领域开展深入合作。