消息人士表示，分析支出金额，三星已有技术制造某些芯片原型，SiC和GaN常用于最新电源管理零件，SiC因耐用性受汽车产业高度青睐，GaN则因具承受高频快速开关，无线通讯更常应用，比硅基半导体产品更受高端应用青睐。
三星2023年初成立功率半导体工作小组，为制造SiC和GaN半导体的第一步。小组除了三星半导体员工，LED团队和三星高级技术学院(SAIT)也有参与。三星规划用8英寸晶圆制造GaN和SiC半导体，直接跳过多数功率半导体商用6英寸晶圆切入阶段。
Micro LED也会用8英寸晶圆生产，代表三星高级技术学院使三星Micro LED生产拥有GaN相关技术。
三星用8英寸晶圆生产SiC和GaN产品令人瞩目，因SiC仍以4/6英寸晶圆生产为多，GaN生产则8英寸晶圆逐渐成主流。三星发言人表示，SiC半导体业务处于“研究阶段”，尚未做任何决定。