日本为何联合台积电研究半导体先进制程?

2021-03-29
关注
摘要 众所周知,台积电之所以在半导体(芯片)代工市场获得全球几乎一半的份额,极大的因素就是在半导体制造中的制程方面技术优秀,目前在7nm、5nm方面已经领先全球,3nm制程的研发和量产也日益临近。

众所周知,台积电之所以在半导体(芯片)代工市场获得全球几乎一半的份额,极大的因素就是在半导体制造中的制程方面技术优秀,目前在7nm、5nm方面已经领先全球,3nm制程的研发和量产也日益临近。三星电子是紧随其后的另一家巨头,此外,其他半导体企业在这方面就略逊一筹了。包括近日表示要重返半导体代工市场的英特尔也是吃了制程的亏,一直“跳票”自己的先进制程出品时间,让AMD等企业抢到了不少的份额,甚至苹果公司的最新研发的电脑芯片M1也已经量产,还是台积电为其代工。当大合作伙伴都不再使用英特尔公司的芯片时,对其压力是可想而知的。

可以说,先进制程对于半导体制造来说是异常重要的。制程实际上就是半导体工艺,5nm、7nm、10nm等等都代表了什么?一般的用户或许根本不关注。不过,对于制程我们还是经常会听说的。其实,简单地说,制程就是我们能够把一个单位的电晶体刻在多大尺寸的一块芯片上。先进制程生产出来的芯片主要应用在移动终端产品上,比如手机。因为手机处理器不同于一般的电脑处理器,手机中能够给芯片留下的尺寸是相当有限的。尺寸越小,相同大小的处理器中拥有的计算单元也就越多,性能也就越强。这也是为何厂商会频繁强调处理器制程的原因。

还有一个非常重要的技术支持是,随着频率的提升,处理器所产生的热量也会提高,先进的蚀刻技术就是可以减小晶体管间电阻,让CPU所需的电压降低,从而使功率大幅度减小。先进制程带来的好处就是不仅性能大幅度提高,功耗和发热量还会不断降低。在先进制程的布局方面,需要使用到另一个设备,那就是新的蚀刻工艺―极紫外光刻(EUV),用更小更锋利的“刻刀”来切割出更小的电晶体结构。这也是为何台积电和三星电子都在抢购最先进的EUV光刻机的原因所在,而我们的企业在这方面存在的差距就更大了。

如今,台积电的制程领先其他企业,技术的能力也是最强的。包括三星电子、英特尔都和其有一定的差距。或许是因为这个原因,日本官方将出资420亿日元,联合日本三大半导体厂商――佳能、东京电子以及Screen Semiconductor Solutions共同开发2nm先进制程工艺。同时,还将与台积电建立合作关系,寻求收复在全球半导体竞赛中的失地。而在这个市场,台积电和三星电子都有布局。

曾几何时,日本也是半导体大国,不过,近年来的技术下滑,已经被挤出了市场前列。这一次,日本联合制造光刻机的佳能、半导体生产厂商东京电子以及半导体设备商Screen Semiconductor Solutions,共同研发2nm先进制程工艺。也是希望在先进的制程工艺方面,能够有所突破。而且,早在2020年5月,日本政府邀请国外芯片制造商赴日建设晶圆工厂的消息就屡屡传出。不过,后来台积电选择去美国建厂。

有消息称,台积电的先进封测厂将设在东京,日本茨城县筑波市也将新设台积电的技术研发中心,研发内容主要涉及晶圆制程研发及3D封装。在半导体制造市场,其实日本也有自己的优势,其中,日本很多厂商在EUV光刻工序方面,都有参与。比如,全球仅有日本厂商能够提供EUV光刻胶。东京应化、合成橡胶(JSR)、住友化学、信越化学和富士胶片这五家日本厂商,可以生产出EUV光刻工序中不可缺少的EUV光刻胶,日本企业在EUV光刻胶领域的市场占有率为100%。

同时,东京电子生产的EUV涂覆显影设备能够将特殊的化学液体涂在硅片上,作为半导体材料进行显影。在这个领域,日本企业也是独一无二的。除了在技术上积累之外,日本的半导体企业也看到中国的庞大市场需求,也在积极布局中国市场。其中,Ferrotec实施了中国晶圆子公司等增资和股权出售。积极融资之后,在尖端半导体采用的直径12英寸晶圆产品的量产方面进行投资。Ferrotec自2020年度起在浙江省杭州市启动量产,计划到2022年将产能增至每月10万片,扩大晶圆业务的投资额预计至少达到1500亿日元。对于我们的企业来说,在芯片制造方面,也应该好好地深耕市场,把技术研发投入到量产中,尽快弥补差距才是王道。

  • 半导体
您觉得本篇内容如何
评分

相关产品

Dexin Semiconductor 德芯半导体 MP-3B 平面半导体-型号

MP-3B型酒精检测用半导体气敏元件采用先进的平面生产工艺,在微型Al2O3陶瓷基片上形成加热器和金属氧化物半导体气敏材料,用电极引线引出,封装在金属管座、管帽内。

兴感半导体 SL621 磁场传感器

兴感半导体 SL621 磁场传感器

武汉普赛斯仪表 PMST系列 半导体测试设备

普赛斯半导体分立器件静态测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。

STMicroelectronics 意法半导体 IIS328DQTR 加速计

意法半导体 IIS328DQ 3 轴线性加速计是一款超低功耗、高性能的加速计,带有一个数字串行接口,兼容 SPI 或 I2C。建议用于需要宽幅温度范围和长使用寿命的工业应用。

Sensor Element 星硕传感 GMH2210 半导体气体传感器

GMH2210半导体可燃气体传感器采用半导体厚膜工艺加工制作而成的主芯片以及最新研发成功的全自动封测设备和先进的封测生产工艺制造的产品,产品性能一致性好、稳定性高。GMH2210主芯片采用的敏感材料是活性很高的金属氧化物半导体,对丙烷有较高的灵敏度和选择性,适用于民用燃气泄漏检测和家用燃气泄漏报警器等。

MEMSIC 美新半导体 MC6470 多功能

6-AXIS ECOMPASS (2X2 LGA)

Taiken 泰肯光电 TC-SOA系列半导体光放大模块 其它

TC-SOA系列半导体光放大(SOA)模块内部采用了进口高性能SOA,采用独特的ATC设计保证输出功率的稳定性,其高速全光放大的模块,对传输协议完全透明的特点,尤其适用于高速光纤通信系统。

评论

您需要登录才可以回复|注册

提交评论

广告

大比特商务网

这家伙很懒,什么描述也没留下

关注

点击进入下一篇

台积电3纳米研发成功,将如期到来!

提取码
复制提取码
点击跳转至百度网盘