01 Spectral Sensitivity 感光波长
光电二极管常使用硅(Si)作为材料，感光光谱范围可从近紫外的350nm到近红外的1100nm。一般硅材料的光电二极管峰值感光波长在 800nm～1000nm 的近红外区域中。有些光电二极管使用黑色的环氧树脂作为封装材料，可以滤除可见光部分的光谱响应，感光波长向近红外集中。
02 ID 暗电流
在无光照射的情况下，光电二极管外加反向偏置电压时会流过一个很小的反向电流，称为光电二极管的暗电流。光电二极管的暗电流与所加的反向电压和芯片的感光面积成正相关。
03 ISC 短路电流
有光照射时，如果把光电二极管的两端短路，入射光产生的电荷就会通过外部回路进行定向流动，因此产生的电流称为短路电流。短路电流与芯片感光面积成正比，面积较小时，由于有边缘效应，其比例系数比大面积时要大，另外，由于禁带宽度随温度会变化，随之感光度特性也相应的变化。
04 VOC 开路电压
有光照射时，如果光电二极管的两端开路，入射光产生的正负电荷累积在PN结之间，因此产生的电势差称为光电二极管的开路电压。开路电压正比于入射光强的对数，一般情况下，开路电压与光敏面积无关。
05 VF 正向导通电压
二极管正向偏置时，只有当电压超过某一数值后才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压，用VF表示。
06 IF 正向导通电流
二极管正向偏置时，只有当电压超过某一数值后才有明显的正向电流，该电流值称为导通电流，用IF表示。对某一特定的光电二极管，VF值和IF值一一对应。
07 BVR 反向击穿电压
二极管反向偏置时，在一定范围内的反向电压下电流很小，当反向电压超过一定值时，暗电流会急速变大，这种现象称为击穿。击穿现象一般不会对器件造成物理损坏，但如果击穿时流过过大的电流，有时会造成芯片局部损坏，故实际使用时，反向偏置电压不要超过击穿电压值。
08 tr, tf 响应速度
响应速度是指受光后产生光电流的快慢，通常用上升时间(tr)和下降时间(tf)来表示。响应速度主要取决于电容与负载电阻组成的 RC 时间常数以及芯片内载流子的漂移时间和扩散时间的影响，通过减少分布电容和负载电阻以及抑制扩散电流，可以提高响应速度。使用时可以采用加反向偏置电压的方法提高响应速度。