当地时间8月8日，在美国举行的2023年闪存峰会(FMS)上，SK海力士正式公布了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的开发进展，并展示了样品。
SK海力士表示，321层产品的生产率比其238层前代产品高出59%，其数据存储单元堆叠得更高，从而提高了单片晶圆的整体容量。
SK海力士还在闪存峰会上推出下一代NAND产品，包括支持PCIe Gen5接口和UFS 4.0的企业级固态硬盘（SSD）。
（JSSIA整理）
当地时间8月8日，在美国举行的2023年闪存峰会(FMS)上，SK海力士正式公布了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的开发进展，并展示了样品。
SK海力士表示，321层产品的生产率比其238层前代产品高出59%，其数据存储单元堆叠得更高，从而提高了单片晶圆的整体容量。
SK海力士还在闪存峰会上推出下一代NAND产品，包括支持PCIe Gen5接口和UFS 4.0的企业级固态硬盘（SSD）。
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