英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出搭载1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能。新型模块专为满足集中式太阳能逆变器以及工业电机驱动和不间断电源（UPS）的需求而开发。此外，它还广泛适用于电动汽车充电桩、储能系统（ESS）和其他新型工业应用。
基于新型微沟槽技术，搭载 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 芯片的62mm 模块系列的静态损耗远远低于搭载 IGBT4 芯片组的模块。这些特性大大降低了应用中的损耗，在以中等开关频率工作的工业电机驱动中尤为显著。IGBT 的振荡行为和可控性也得到了提升。此外，全新功率模块的最大过载结温为 175°C。
坚固的镀镍铜底板和螺母主端子确保了 62 mm模块封装具有足够的机械强度。主端子位于封装中央，由于其直流链路连接电感较低，因此非常适合并联电路和三电平拓扑配置。标准的封装设计和尺寸使得该系列能够兼容此前的模块版本。此外，所有模块均可使用英飞凌经过验证的预涂热界面材料（TIM）。