根据韩国The Elec报道，三星电子和SK海力士两家公司加速推进12层HBM内存量产。生成式AI的爆火带动英伟达加速卡的需求之外，也带动了对高带宽存储器（HBM）的需求。HBM堆叠的层数越多，处理数据的能力就越强，目前主流HBM堆叠8层，而下一代12层也即将开始量产。
报道称HBM堆叠目前主要使用正使用热压粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工艺，而最新消息称三星和SK海力士正在推进名为混合键合（Hybrid Bonding）的封装工艺，突破TCB和MR的发热、封装高度等限制。
Hybrid Bonding中的Hybrid是指除了在室温下凹陷下去的铜bump完成键合，两个Chip面对面的其它非导电部分也要贴合。因此，Hybrid Bonding在芯粒与芯粒或者wafer与wafer之间是没有空隙的，不需要用环氧树脂进行填充。
IT之家援引该媒体报道，三星电子和SK海力士等主要公司已经克服这些挑战，扩展了TCB和MR工艺，实现最高12层。
报道称采用Hybrid Bonding工艺之后，显著提高了输入/输出（IO）吞吐量，允许在1平方毫米的面积内连接1万到10万个通孔（via）。