霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（E.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机制时发现的。当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。
霍尔效应以及后续发现的自旋霍尔效应、量子霍尔效应、量子反常霍尔效应等具有极高的应用前景。霍尔效应的研究是我们研究材料的载流子浓度、迁移率等基础物理性质的重要手段。
霍尔效应测试系统一般由电磁铁平台、测试系统以及各类测试附件和软件组成，如果增加液氮恒温器或者闭循环低温恒温器，也可以进行低温下的霍尔效应测试。测试方法一般有范德堡法和HallBar法，根据材料的种类（金属、半导体、绝缘体）不同，所选的测试仪表种类也有所不同，这主要是由于不同的测试仪表，其测量范围有所不同。电磁铁大小、仪表种类、是否需要低温等关系着整个系统价格的高低。
