专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用
全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）宣布与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，针对大功率应用扩展氮化镓电源系统设计。
Transphorm 的 SuperGaN FET可用于各种拓扑结构，并能够提供多种封装形式，支持广泛的功率级，满足不同终端市场应用要求。SuperGaN FET已应用于各种商业产品，并在高功率系统中显著提升可靠性、功率密度和效率。
Allegro的自供电型单通道隔离式栅极驱动IC，在多种应用和电路中专为驱动氮化镓场效应晶体管进行了优化。经验证，与友商同类栅极驱动器相比，AHV85110驱动效率提高了50%。与市场上其它解决方案相比，这款独特的解决方案大大简化了系统设计，将电路干扰降低10倍，共模电容减小了15倍。
Transphorm 全球销售和现场应用副总裁 Tushar Dhayagude 表示：“Allegro 的 AHV85110 高压栅极驱动提供高度紧凑和高效的电源应用方案，仅需为Transphorm功率器件配置最少的外部电路组件和偏置电源，因此将占板面积减小约30%，加上SuperGaN极高的可靠性和优于同类竞争技术的出色动态开关性能，最终将为服务器、数据中心、可再生能源和电动汽车等关键应用提供更高效、更稳健和功率密度更高的解决方案。”
Allegro MicroSystems 高压电源业务部副总裁兼总经理 Vijay Mangtani 表示：“我们很高兴能与 Transphorm 开展合作，帮助Allegro更好地为客户优化基于氮化镓的系统开发和设计。我们期待能够将Allegro的高压隔离式栅极驱动器 AHV85110 与 Transphorm 的 SuperGaN 场效应晶体管结合，从而以更小的尺寸实现更高的功率密度、更高的效率以及更高的功率输出，为Allegro 和Transphorm的客户带来价值。”
感兴趣的用户可使用Allegro的APEK85110KNH-06-T评估板测试Transphorm和Allegro的这一合作解决方案。该评估板集成了适用于不同应用的AHV85110驱动以及Transphorm近期发布的三款TOLL封装器件，这三款Transphorm器件的导通电阻分别为 35、50 和 72 毫欧。
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm总部位于美国加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。请访问https://transphormusa.cn了解更多信息。欢迎关注官方微信：TransphormGaN氮化镓。