FinFET（Fin Field-Effect Transistor）是一种三维晶体管结构，是目前集成电路技术中最先进的结构之一。随着集成电路技术的不断发展，FinFET已经成为了下一代晶体管结构的主流。
FinFET的开启了三维晶体管时代。传统的平面MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种二维结构，电流在通道层中流动。而FinFET则是在通道层两侧增加了一些突起，使得电流可以在三个方向上流动。这种三维结构可以显著地改善电流的控制能力和功耗效率。
FinFET的一个重要变种是GAA（Gate-All-Around）结构。GAA结构的特点是栅极包围了通道层的全部表面，形成了一种全围栅极结构。相比于传统的FinFET，GAA结构具有更好的电流控制能力和更低的漏电流。这使得GAA结构成为了下一代高性能集成电路的主要选择。
晶体管结构工艺的发展历程可以追溯到20世纪60年代。当时，集成电路中使用的晶体管是基于NDT3055L二极管的结构，被称为晶体管二极管（Transistor Diode）或简称二极管。随着对集成电路的需求增加，人们开始研究如何在晶体管中引入栅极，以实现对电流的控制。
1960年代末，人们发明了MOSFET结构，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管。MOSFET结构通过在半导体表面引入了氧化物层和金属栅极，实现了对电流的有效控制。这种结构成为了集成电路中最常用的晶体管结构。
在MOSFET结构的基础上，人们开始研究如何进一步提高晶体管的性能。1990年代，人们提出了双栅极结构，即SOI-MOSFET（Silicon-On-Insulator MOSFET）。SOI-MOSFET通过在晶体管的底部增加一层绝缘层，可以降低晶体管的漏电流和互补电容。这种结构在一定程度上改善了晶体管的性能。
2000年代初，人们开始研究三维晶体管结构。最早的三维结构是FinFET，通过在通道层两侧增加一些突起，实现了电流在三个方向上的流动。FinFET结构可以显著地提高晶体管的控制能力和功耗效率。
随后，人们又提出了GAA结构，即全围栅极结构。GAA结构通过将栅极完全包围在通道层周围，实现了更好的电流控制能力和更低的漏电流。GAA结构成为了下一代高性能集成电路的主流选择。
总而言之，晶体管结构工艺经过了从二极管到MOSFET再到FinFET和GAA的发展过程。这些结构的引入不断提高了晶体管的性能，推动了集成电路技术的不断进步。FinFET和GAA结构的出现开启了三维晶体管时代，为下一代高性能集成电路的发展奠定了基础。