士兰微荣获“中国SiC器件IDM十强企业”奖

2024-01-05
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摘要 士兰微电子荣获“中国SiC器件IDM十强企业”奖。

  日前,由行家信息科技、行家芯网科技主办的行家说三代半年会“2023碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳国际会展中心举办。其中,士兰微电子荣获“中国SiC器件IDM十强企业”奖。
 

  SSM1R7PB12B3DTFM是士兰微电子基于自主知识产权的SiC MOS芯片技术所开发的六单元拓扑模块,是士兰微电子推出的新能源电动汽车电驱系统应用领域的主力产品之一,具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级等优势,为严苛环境条件下的逆变器运行提供更可靠的保障。
 

  该产品具有行业先进的高阻断电压、低导通电阻和高电流密度等技术指标,整体可靠性上达到国际先进水平。
 

  该产品从芯片上采用低界面态密度和高沟道迁移率的SiC/SiO2氧化工艺研发,单芯片导通电阻达到甚至优于国外同级别器件水平;封装方面攻克纳米银烧结、铜线键合技术并实现量产。

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