Micron Technology, Inc.(美光科技有限公司，纳斯达克股票代码:MU）今天宣布送样增强版通用闪存（UFS）4.0 移动解决方案具有突破性专有固件功能，采用行业领先的紧凑型UFS 封装（9 x 13mm）。基于先进的232层3D NAND技术，美光UFS 4.0解决方案可以达到高达 1 其卓越的性能和端到端技术创新将有助于旗舰智能手机实现更快的响应速度和更敏感的使用体验。
美光UFS 4.0的顺序读取速度和顺序写入速度分别高达 4300 MBps和4000 MBps，与前代产品相比，性能[[1]提高了一倍，为数据密集型应用提供了更好的使用体验。以高速性能，用户可以更快地启动常用的生产力、创造力和新兴产品 AI 应用。生成式 AI应用中大语言模型的加载速度可以提高 40%[[2]为用户和AI 数字助手的对话提供了更流畅的使用体验。
美光移动部总经理兼企业副总裁Mark Montierth 说:“美光最新推出的UFS 4.0 该解决方案采用行业领先的紧凑型UFS包装，在降低功耗的同时提供一流的存储性能。该解决方案通过突破性的固件升级，使智能手机在出厂时始终保持平稳运行。同时，通过更强的性能、灵活性和可扩展性，进一步提高了移动存储性能标准，有助于加快智能手机的普及和生成 AI 功能。”
紧凑的包装设计为超薄节能智能手机奠定了基础
自去年 6 月推出11mm x UFSS13mm封装规格 4.0解决方案后，美光进一步缩小UFS 4.0的形状规格更紧凑 9mm x 13mm 托管型 NAND包装。尺寸较小的UFS 4.0为下一代折叠和超薄智能手机设计带来了更多的可能性，制造商可以利用节省的空间来放置更大容量的电池。另外，新版UFS 4.0解决方案可以提高效率 使用户运行25%[[3] AI、AR、当游戏和多媒体等耗电量高的应用程序获得更长的电池寿命时。
美光专有固件创新，进一步提高移动闪存标准
此次增强版 UFS 4.0基于去年美光量产的美光 UFS 4.0产品可提供多种专用固件更新功能，包括：
· 高性能模式（HPM）：该专有功能优先考虑关键任务而不是后台任务，以提高智能手机在密集使用过程中的性能。打开它 HPM 之后，存储访问速度可以提高一倍，帮助手机在启动多应用时速度超过 25% [[4]]。
· 一键刷新（OBR）：OBR 通过自动清理和优化数据，功能可以帮助用户获得更持久的卓越性能，使智能手机始终保持新状态的平稳运行体验。更快的阅读/写作性能可以提高10% 应用程序启动速度[[5]，实现更快的相册访问速度和流畅的多任务处理，为用户提供更好的体验。
· 分区 UFS（ZUFS）：美光 UFS 4.0 为了提高设备的长期使用体验，支持主机指定不同的数据存储区域。ZUFS 能有效应对写入放大现象，在不降低设备性能的前提下，尽可能使用有限的编程和擦除周期，延长智能手机的使用寿命，长期保持流畅的使用体验。
美光工程师团队通过预测新兴使用场景、模拟实际应用环境和与客户密切合作，成功创造了这些创新的固件功能。在位于美国、中国和韩国的客户联合实验室中，美光与智能手机制造商密切合作，通过了解制造商面临的痛点，开发有针对性的解决方案来解决技术瓶颈。
供货情况
美光增强版 UFS 4.0 已出样并提供 256 GB、512GB 和 1TB 容量选项。扩展容量可支持旗舰智能手机容纳设备端 AI 助手分析和生成的所有数据，以及用户不断增加的图片材料，释放人工智能的优势，并获得比云存储更高的安全性。通过本地数据存储，用户可以在离线或网络信号不稳定的情况下随时访问个人数据，从强大的人工智能功能中受益。
[[1]] 与上一代 UFS 3.1 176 层 NAND 相比
[2] 与上一代 UFS 3.1 176 层 NAND 相比
[3] 与上一代 UFS 3.1 176 层 NAND 相比
[4] 与未启用 HPM 的 UFS 4.0 设备相比
[5] 与未启用 OBR 的 UFS 4.0 设备相比