【2024年3月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技有限公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启了功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 新的CoolSiC英飞凌™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在保证质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%，不仅提高了整体能效，而且进一步促进了低碳化过程。   CoolSiC 650v-1200v CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 通过减少能量损失，提高功率转换过程中的效率，技术继续发挥碳化硅的性能优势。这给电力半导体应用领域的客户带来了巨大的优势，如光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源。与前几代产品相比，使用CoolSiC™ G2 电动汽车直流快速充电站最大功率损失可减少10%，充电功率更高，不影响外观尺寸。基于CoolSiC™ G2设备的牵引逆变器可以进一步增加电动汽车的里程。在可再生能源领域，应用 CoolSiC™ G2的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时实现更小的尺寸，从而降低每瓦的成本。 英飞凌科技零碳工业功率部总裁 Peter Wawer 医生说：“目前的总体趋势是采用高效的新方法来产生、传输和消耗能量。英飞凌凭借 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的性能提升到一个新的水平。新一代碳化硅技术使制造商能够更快地设计成本更低、结构更紧凑、性能更可靠、效率更高的系统，减少现场每瓦二氧化碳排放，同时实现节能。这充分体现了英飞凌在工业、消费和汽车领域的低碳化和数字创新。 ” 英飞凌开创性的Coolsic™ MOSFET沟槽格栅技术促进了高性能ColSiC™ G2解决方案的发展实现了更优化的设计选择和当前的SiC 与MOSFET技术相比，它具有更高的效率和可靠性。结合屡获殊荣.XT包装技术，以更高的导热性、更好的包装控制和更好的性能，进一步提高了英飞凌的基础 CoolSiC™ G2 设计潜力。 英飞凌掌握了硅、碳化硅和氮化镓（GaN）该领域的所有关键功率技术都可以提供灵活的设计和领先的应用知识，以满足现代设计的期望和需求。在促进低碳化的过程中，基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带（WBG）材料创新半导体已成为能源高效利用的关键。 欢迎点击此处报名参加4月16日2024年英飞凌宽禁带开发者论坛。