英特尔1nm投产时间曝光!领先于台积电

2024-03-15
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英特尔1nm投产时间曝光!领先于台积电

芯东西(微信官方账号:aichip001)
编译 |  ZeR0
编辑 |  漠影

2月28日,根据Tom的消息,芯东西s Hardware报道说,根据英特尔的演示文稿,英特尔以前从未公布过Intel Intel将于2027年底投产10A(1nm)制造节点 14个节点将于2026年投产

后缀“A”代表埃米(Angstrom),10埃米等于1纳米(1nm),即Intel 10A将是英特尔的第一个1nm级节点

上周,芯东西详细报道了英特尔最新发布的制程节点路线图(重磅!微软Arm与英特尔联手制造芯,OpenAI 首席执行官谈到了AI计算的需求,Intel 当英特尔没有直接注明Intel时,14A制程首次公布) Intel从未提到过14A节点的具体生产时间 10A。

Intel 14A将是英特尔第一次使用High-NA EUV光刻机工艺。相比之下,台积电之前的路线图显示,其1.4nmA14工艺预计将于2027年至2028年推出,采用High-NA 预计EUV1nm级A10工艺开发将于2030年左右完成。

若英特尔代工业务能够按时推进计划,将在关键的1nm节点重新获得技术领先地位,领先于台积电。

英特尔执行副总裁兼全球首席运营官Keyvannn Esfarjani举行了一次非常有见地的会议,展示了未来几年的路线图。

左图总结了英特尔各工艺节点的WSPW(每周晶圆生产量),Y轴没有标签。从这张图中,我们可以直接了解英特尔的产量。

英特尔没有分享Intel 10A/1nm节点的细节,但透露它将新节点归类为至少两位数的功率/性能改进。

英特尔首席执行官帕特·基辛格表示,新节点的改进率约为14%~15%,因此Intel可以预期 10A至少比Intel好 14A节点的改进水平相同。(例如,Intel 七、Intel 4.改进幅度为15%。)

随着EUV节点的过渡,英特尔将稳步减少其14nm、10nm、Intel 7、12nm节点总产量。

英特尔还将积极提升Foveros、EMIB、SiP、HBI(混合键连接)等先进的包装容量。先进的包装容量一直是人工智能加速器短缺的关键。增加的容量将确保包括HBM在内的复杂包装先进处理器的稳定供应。

公司最近用标准包装完成了所有的内部包装工作,现在正在全力投资先进的包装,并将使用OSAT(外包组装和测试公司)来执行标准包装任务。

这张图显示了英特尔如何转向OEM,这将增加每个节点的产量和生产时间,并长期为客户提供订单,从而最大限度地提高其晶圆厂和设备支持的利润。

Esfarjani还分享了英特尔全球业务的细节。除现有设施外,英特尔还计划在未来五年内投资1000亿美元扩建和新生产基地。

在Intel中,英特尔分享了一些节点生产的位置 18A是亚利桑那州的Fab 52和Fab 62.新墨西哥州高塔半导体先进封装和65nm晶圆铸造业务的Fab 9和11X进行。

该公司没有透露该计划在哪里生产Intel 俄亥俄州、以色列、德国、马来西亚和波兰也扩建了10A。

此外,英特尔还致力于在未来建立一个完全独立的人工智能晶圆工厂,计划在其生产过程的所有环节使用人工智能,从产能规划和预测到产量改进和实际生产经营,这是一个“10倍月度计划”。

Esfarjani没有提供“登月计划”时间表,但表明这将影响其未来运营的各个方面。这包括引入与人类合作的机器人人工智能“Cobots机器人自动化广泛应用于制造过程中。

来源:Tom’s Hardware

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这家伙很懒,什么描述也没留下

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