2月27日，三星宣布推出其创新的12层HBM3E DRAM产品-HBM3E 12H。
与三星之前的8层堆叠HBM3相比 HBM38H产品E 12H最高带宽1280GB/s，带宽和容量增加了50%以上。HBM3E 12H采用热压非导电膜（TC NCF）该技术使12层堆叠产品的高度与8层堆叠产品一致，从而满足当前HBM包装的要求。该技术通过减少非导电薄膜（NCF）材料厚度最小化芯片间隙，达到7微米（µm），同时，层与层之间的间隙也被消除。这些措施使HBM3EEE 与HBM3相比，12H的垂直密度与HBM3相比 8H增加了20%以上。
此外，热压非导电膜（TC NCF）该技术还允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块，以优化HBM的热性能。在芯片键合过程中，信号传输区域使用较小的凸块，而需要散热的区域放置较大的凸块。该设计有助于提高产品的良好率，为用户带来更稳定和可靠的存储体验。
目前，三星已开始向客户提供HBM3E 样品12H，预计今年下半年开始大规模生产。
(JSSIA整理)