2024年3月23日，HORIBA HORIBA集团新投资的厚立方大楼开放日-半导体材料表征主题研讨会(C-CUBE) 成功举办。本次研讨会由HORIBA与上海集成电路材料研究所、集成电路材料创新联合体共同举办，吸引了许多技术专家和前端企业，讨论了光刻胶、宽带材料、光掩膜等关键领域的创新发展。△ HORIBA半导体材料表征主题研讨会开始时，日本半导体设备协会专务理事Kiyoshi WATANABE先生、上海集成电路材料研究所副总经理、集成电路材料创新联合体秘书长冯丽女士、HORIBA前沿应用开发中心主任沈静博士分别发表了欢迎演讲。他们强调了半导体材料在促进产业进步中的重要作用，并期待通过本次研讨会聚集各方智慧，共同促进半导体产业创新。△ 三位嘉宾发表了开场演讲(日本半导体设备协会Kiyoshii 作为现代电子技术的核心领域，半导体产业的发展离不开测量手段、创新研发、材料表征和检测方法的支持。为此，HORIBA精心安排了四位讲师深入分享这四个维度。首先，HORIBA半导体全球业务负责人Ramdane BENFERHAT博士介绍了HORIBA在半导体行业的材料表征和工艺监控能力。他还强调了公司在光刻胶、宽禁带半导体、光掩膜等材料领域的解决方案，有望为半导体企业提高速度和效率提供有力支持。△ Ramdane BENFERHAT博士指出，随着人工智能、高速快速充电、新能源汽车等新兴应用的快速发展，半导体解决方案的不断优化和创新是产业发展的强大驱动力。集成电路材料的创新研发前景在精确测量和检测方案多样化需求的驱动下，自然令人满意。来自上海集成电路材料研究所的黄嘉叶博士立即向客人介绍了集成电路材料的现状。同时，他强调了合作与开放的重要性，呼吁各方加强沟通与合作，共同促进半导体产业的繁荣发展。△ 上海集成电路材料研究所黄嘉叶博士表示，上海集成电路材料研究所作为集成电路材料的创新研发平台，以全面、客观、高效的材料研发创新为目标，护送产业发展。经过短暂的茶休息，客人们期待着创新研发平台，共同探讨了宽禁带半导体材料的热点话题——碳化硅单晶缺陷的表现。浙江大学杭州国际科技创新中心研究员王荣教授详细介绍了拉曼光谱在碳化硅缺陷分析中的重要性、应力分布、掺杂浓度以及光发光技术在碳化硅缺陷分析中的重要作用，丰富了碳化硅缺陷调节和表现的理念。△ 王荣教授指出，精确的缺陷表征技术可以优化和提高碳化硅的单晶性能，从而促进半导体产业的进步。在了解了半导体材料的调控方法之后，如何对材料进行准确的检测是保证产品质量的关键。刘国林博士，上海集成电路材料研究院，对集成电路材料检测标准方法进行了深入讲解。△ 刘国林博士系统地介绍了集成电路材料的物理化学检测方法，并展示了集成电路材料研究所的检测能力和实例。经过四位讲师的精彩报告，客人们在工作人员的指导下参观了厚立方（C-CUBE）。前沿应用开发中心位于二楼（Analytical Solution Plaza，ASP是HORIBA依托资深专业技术团队，致力于深化与中国用户的合作、协同创新、探索解决方案的综合平台，也是本次访问的重点。在ASP应用专家团队的精彩讲解下，各种分析检测仪器给客人留下了深刻的印象，为今后多方合作奠定了基础。例如，在半导体材料表征阶段，拉曼光谱仪可以为结晶度/分子浓度、缺陷/杂质分析、应力和化学成分提供检测支持；荧光光谱仪为材料的禁带宽度提供了快速准确的结果。此外，氧氮氢分析仪、光放电光谱仪和x射线荧光显微分析仪为元素分析提供了多样化的解决方案；椭圆偏振光谱仪不仅可以检测薄膜厚度，还可以表示光刻胶；光掩模颗粒检测系统（PD Xpadion）能快速准确全面地扫描光罩的颗粒，为工程师的颗粒监测提供便利。粒度计可以对CMP浆料进行颗粒分析，准确表示工作颗粒的尺寸和分布。△ ASP中的许多仪器可以为半导体材料和工艺监控提供强有力的技术支持。△ 厚立方（C-CUBE）参观活动充分展示了HORIBA的技术实力和团队风格。HORIBA与上海集成电路材料研究所、集成电路材料创新联合体联合举办的研讨会，不仅为行业专家和企业搭建了交流合作平台，也为半导体产业的蓬勃发展注入了活力。与会者表示，他们收获颇丰，结交了许多志同道合的合作伙伴，为未来的合作与发展奠定了坚实的基础。△ 气氛热烈，客人们互相交流学习，收获颇丰。展望未来，半导体产业将在各方的共同努力下继续快速发展，HORIBA将继续通过一系列开放日活动，为更多国内研发机构和前端企业提供优秀的技术支持和服务，让我们“分析世界，合作创造未来”！△ 大家合影留念，记录本次研讨会圆满结束的珍贵瞬间。