日本东京大学的研究团队开发了一种半导体纳米通道设备，磁场可以改变其电阻值250倍。这种现象预计将用于未来开发新的非易失性存储器。
根据日本东京大学的公报，研究人员领导的团队开发了一种通道长20纳米的锗半导体纳米通道设备，属于半导体两端设备，具有铁和氧化镁双层结构的电极，并添加了硼。研究人员观察到，该设备的磁场可以显示电阻开关效应，磁场也可以达到电阻变化率的250倍。研究者将这一现象命名为“巨磁阻开关效应”。
然而，这种“巨磁阻开关效应”只能在20开尔文（约零下253摄氏度）的低温环境中观察到。下一步，研究小组将致力于提高“巨磁阻开关效应”的温度，以开发新的电子元件。基于电阻开关效应的电阻随机访问存储器被认为是下一代最具竞争力的非易失存储器之一。
传统的动态随机访问存储器使用电容器存储电荷来存储数据。其主要缺点之一是数据的易失性。当电源意外切断时，存储数据将丢失。电阻随机访问存储器是一种下一代内存技术，通过向设备施加脉冲电压来产生电阻变化，表示二进制中的“0”和“1”。
论文第一作者、东京大学研究生院工程系教授大矢耐指出，新成果有望应用于未来的电子领域，特别是神经形态计算和下一代存储器、超高灵敏度传感器等新设备的开发。
