SK海力士HBM3E内存良率已接近80%

2024-05-23
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5 月 23 日消息,SK 海力士产量总监 Kwon Jae-soon 最近,该公司告诉《金融时报》 HBM3E 内存良率已接近 80%。

与传统内存产品相比,HBM 制造过程涉及 DRAM 层间建立 TSV(Through Silicon Via)硅通孔与多次芯片键合,复杂度直线上升。一层 DRAM 出现问题意味着整个问题 HBM 报废堆栈。

▲ HBM 内存结构示意图。图源 SK 海力士

因此 HBM 内存,尤其是使用 8 层乃至 12 层堆叠的 HBM3E 产品在良率上自然落后于标准 DRAM 内存。

韩媒 DealSite 今年3月初称当时 HBM 内存的整体良率只有 65% 左右。这样看来,SK 海力士最近在这里 HBM3E 记忆技术的良率有了明显的提高。

Kwon Jae-soon 也提到,SK 目前,海力士已将 HBM3E 减少了生产周期 50%。更短的生产意味着更高的生产效率,可以为英伟达等下游客户提供更充足的供应。

高管再次确认 SK 今年海力士的主要重点是生产 8 层堆叠的 HBM3E,由于这一规范目前是客户需求的核心。

Kwon Jae-soon “在这个人工智能时代,提高产量对于保持领先地位变得越来越重要。”


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这家伙很懒,什么描述也没留下

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