霍尔效应测试仪-电磁铁型

2024-08-20
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摘要 可测试材料:  半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料,低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料,高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等

      霍尔效应测试仪,是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。霍尔效应测试仪主要用于测量电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或固体材料均可。

      仪器系统构成:电磁铁、高精度电源高斯计、高精度恒流源、高精度电压表、霍尔探头、电缆、标准样品、样品安装架、系统软件。



技术参数:

* 电磁铁磁场:间距 10mm情况下10700 高斯,间距20mm 情况下7000 高斯

*样品电流:50nA~50mA(*小可调节电流为 0.1nA)

*测量电压:0.1uV~30V

* 提供各类测试标准材料,各级别霍尔器件(灵敏度与精度不同)

*分辨率:低至1GS

*磁场范围:0-±1T

*配合高斯计或数采板可与计算机通讯

* I-V 曲线及 I-R 曲线测量等 ▲ 电阻率范围:5*10-5~5*102Ω.cm

*电阻范围:10mOhms~ 6MOhms

*载流子浓度:5*1012~5*1020cm-3

*霍尔系数:±1*10-2~±1*106cm3/C

*迁移率:0.1~108cm2/volt*sec

*测试全自动化,一键处理

*专业的欧姆接触组合套件

可测试材料:

      半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料,低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料,高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等


  • 霍尔效应
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13601091939

这家伙很懒,什么描述也没留下

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