晶体管越来越小，但是高性能计算需求越来越高，有些人就反其道而行之，尝试制造超大芯片。之前我们就见识过Cerebras Systems打造的世界最大芯片WSE，拥有46225平方毫米面积、1.2万亿个晶体管、40万个AI核心、18GB SRAM缓存……并得到了美国能源部的青睐和部署。
晶体管越来越小，但是高性能计算需求越来越高，有些人就反其道而行之，尝试制造超大芯片。之前我们就见识过Cerebras Systems打造的世界最大芯片WSE，拥有46225平方毫米面积、1.2万亿个晶体管、40万个AI核心、18GB SRAM缓存……并得到了美国能源部的青睐和部署。
现在，台积电、博通联合宣布，双方将利用晶圆上芯片封装(CoWos)技术，打造面积达1700平方毫米的中介层(Interposer)，是芯片蚀刻所用光掩模(光罩)尺寸极限858平方毫米的整整两倍。
这样规模的中介层显然是无法一次性单个制造出来的，台积电实际上是同时在晶圆上蚀刻多个中介层，然后将它们连接在一起，组成一个整体。
工艺上，台积电也用上了最先进的5nm EUV(N5)，它将在今年上半年投入量产。
所谓中介层，用途就是串联不同裸片(Die)的桥梁，因为随着现代芯片日益复杂，制造单个大型SoC的代价越来越大，所以行业普遍开发出了各种新的封装技术，将不同的小芯片、模块整合在一起，构成一颗大芯片。
博通就计划用这个庞大无比的中介层，封装多个SoC芯片，以及六颗HMB2内存，单颗容量16GB，总容量达96GB/s，带宽也高达2.7TB/s。
看这规格，应该是三星最新的HBM2E。
台积电和高通未透露这种庞大芯片的具体规格，只是说将用于高性能计算领域。另外，台积电还在改进CoWoS封装技术，所以未来不排除面积超过1700平方毫米的更大芯片。