小结构的清洗冲洗是微电子和纳米电子制造的关键过程。最新技术性选用单晶片转动清洗，将超纯水(UPW)引入安裝在转动支架上的晶片中。它是一个繁杂的全过程，必须更强的了解降低水和能量应用的基本原理。明确提出的一种数学模型，它应用了基础的物理学机制，并出示了一个全方位的全过程BU508A模拟器。这种模型包含流体流动、静电作用和总体与表面间的相互功效。效。这种模拟器应用于科学研究图案化晶片的清洗动力学的具体情况，具备基础高度为K微米和纳米分离器构造。科学研究了水流速度、晶片转动速度、水温、晶片尺寸和晶片中槽位等关键清洗工艺参数的功效。在表面处理全过程的设计方案和操纵中，这类冲洗模拟器的取得成功结合将消除对更昂贵、更耗费时间的外部剖析技术性的依靠。
半导体等纳米尺寸器件生产制造序列中的一个关键步骤是在衬底（如硅或介电层）花纹化、蚀刻后清理小结构。在别的很多生产制造步骤后，花纹片的清理和清理是最普遍的工艺流程。在生产制造全过程中，它也是最大的用水单位。半导体生产厂家的用水量超出60%[2]。现在所有现代化工厂都应用旋转式清洗冲洗设备，在旋转支架上安装的晶片中引入超纯水（UPW）。解吸和再吸附、扩散、迁移和对流等多个工艺流程是冲洗工艺流程及其潜在性瓶颈的要素。这些工艺流程中的任何一个都很有可能变成冲洗工艺流程中的限速步骤或瓶颈。我对花纹片旋转式清理的基本原理知之甚少，要保证漂洗工艺流程中最好的资源利用率和周期时间，就需要充足了解工艺流程的基本原理。
对于高k电介质等新材料，表面相互作用的数据非常重要。
旋转盘上的流体流动和质量传递一直是很多研究的主题。文中还研究了旋转盘上的液膜薄流动的流体动力学。将注意力集中在旋转盘上作为连续流动运行，其中流体的平均性质在时间上是稳定的。旋转盘几何研究的传质在静态液体中溶解苯甲酸的作用。旋转盘上的流盘上的流动方式和速度是由粒子图像速度计决定的。这些例子和其他以前工作的重点是旋转盘上的流体膜上的流体流动和质量传导。转盘系统的这一方面虽然重要，但并不是研究的目。
这里正在研究的问题是旋转模式化水中存在的纳米结构清洗机制。模式化晶片不是平面板，其清洗的瓶颈不是圆盘上方的流体层和顶部的流体流和质量传递。这项工作的重点是将杂质从纳米和微米结构中通过组成过程转移（深度）。旋转顶部的流体力学和质量传输disk集成了输送、电场、表面电荷和表面吸附/解吸过程中发生的详细方程。到目前为止，这些模式化晶片处理的关键方面还没有得到研究。由于冲洗过程本质上是不稳定的，因此微结构和纳米结构中质量传递的临界效应和表面电荷产生的瞬态过程的动力学是没有研究过程的其他方面。
本研究所选用的具体案例是从氧化物基质中去除残留的HF。这种组合与最新广泛应用于半导体制造的基质介质非常相关。对于从事高K处理的研究者来说，使用这些测试材料发现的相互作用参数将非常有价值。在我们以前的研究中，[3,4]我们报告了高频率和氧化物之间的相互作用参数。所有的基质和杂质都适用于这项工作的方法和工艺模拟结果。此外，这些结果的应用不仅局限于半导体制造，还可以用于制造光电子和微流体元件中的其他纳米结构。
结语
研发了一体化工艺模型，用于单晶片旋转清洗工具中的清洗和清洗动力学，并将其应用于基础基底的清洗。工艺模拟器考虑了离子的吸附、解吸、传导、扩散、迁移和表面电荷。研究了关键清洗工艺参数的影响，如水流速度、晶片旋转速度、水温、晶片大小和晶片上的沟槽位置。发现高水流速度和高晶片旋转速度有助于冲洗过程。