对于NAND闪存，大家都知道SLC、MLC往后的TLC、QLC闪存存在性能越来越低、错误率越来越高的问题，但是容量更大，所以闪存厂商一直在研发更多的闪存，铠侠的研究已经到了7bit/cell级别，需要在零下200度的低温环境下才能试验。
对于MLC闪存，有必要先说一些基础知识，实际上SLC之后的都应该算作MLC闪存，闪存的类型是按照cell单元存储的电荷位数来判定的，大家所说的MLC实际上是2bit/cell闪存，TLC是3bit/cell，QLC则是4bit/cell，在下面的是PLC闪存，5bit/cell。
铠侠等闪存巨头的研究更深入，去年铠侠就公布过6bit/cell闪存的研究，也就是HLC闪存，今年的IMW 2022会议上，铠侠又公布了7bit/cell闪存的研究成果。
不过7bit/cell闪存现在还没正式命名，倒是再下一代的8bit/cell的名字有了，叫做OLC闪存。
跟之前的6bit/cell闪存一样，7bit/cell闪存也是在77K温度，也就是液氮环境中做测试的，大约是零下200度，这样做是为了降低数据读取时的干扰。
根据铠侠的研究，在7bit/cell闪存中，沟道材料从之前的多晶硅换成了单晶硅，电阻更低，漏电流减少了，写入及读取操作时的阈值电压波动可以最小化。
要知道7bit/cell闪存意味着有128级电压变化，因此7bit/cell闪存写入时控制电压的难度大幅提升，稍有波动就有可能导致更多的错误，这也是闪存类型越升级，性能及可靠性越差的原因。
铠侠没有公布7bit/cell闪存的具体性能，毕竟现在是零下200度的测试，没有实际使用的意义，但是大家对7bit/cell闪存的性能就不要有什么指望，QLC闪存的原始速度都跌入100MB/s以内了，7bit/cell闪存还要再渣几倍，性能就别想了。
以后7bit/cell闪存的SSD硬盘就算是问世了，估计也只会用于读取居多的场景，不适合频繁写入的需求。