长江存储今年将推出128层3D NAND技术

2020-04-10
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摘要 位于武汉的国家存储器基地长江存储的动态进展,以及受疫情影响情况,受到业内的高度关注。长江存储CEO杨士宁表示,研发进度在短期确实会有所波及。目前,该公司已实现全员复工,另外,128层3D NAND技术会按计划在2020年推出。

  武汉因疫情影响封城长达76天后,于近日正式解禁。位于武汉的国家存储器基地长江存储的动态进展以及受疫情影响情况受到业内的高度关注。疫情爆发之前,长江存储正以全球最闪亮的“存储生力军”之姿,加入全球3DNAND存储芯片供应之列,包括三星、SK海力士、美光等企业,都紧紧盯着长江存储的每一个举动。

  回顾长江存储发展历程,长江存储成立于2016年7月,肩负国家存储器芯片生产重任,负责3DNAND闪存设计制造一体化。2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3DNAND闪存;2019年9月,搭载长江存储自主创新Xtacking架构的64层TLC3DNAND闪存正式量产。同时表示,长江存储接下来的第三代产品将跳过96层,直接投入128层闪存的研发和量产工作。

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  武汉解封,长江存储目前已实现全员复工,正抓紧追赶研发进度。针对长江存储最先进128层3D NAND技术的研发进度,长江存储CEO杨士宁表示,研发进度在短期确实会有所波及。不过,目前长江存储已实现全员复工,各项进度正在抓紧追赶,从中长期来看,这次疫情并不会影响总体进度。同时,128层技术会按计划在2020年推出。

  2020年,全球闪存行业将集体奔向100+层,比如SK海力士已出货128层并将在年底做到176层,三星有128层、136层,西数、铠侠(原东芝存储)都是112层但存储密度更高,美光128层,Intel则会做成144层。

  除了在堆叠层数上追赶世界先进水品,长江存储自主研发的Xtacking堆栈架构也正在推进2.0版本,会重点拓展性能、功能,也是直接上128层堆叠的重要保障。如果计划可以按期实现的话,明年国内3DNAND技术将跻身国际大厂之中。

  就全球存储产业的情况来看,今年将是100+层3D NAND技术的爆发之年,现在三星电子、东芝等主流半导体厂商都已经开始热身,相信各大厂商的竞争也将更为激烈。

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这家伙很懒,什么描述也没留下

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