产品详情
描述：
ISO5851-Q1 是一款 5.7kV RMS增强型隔离式栅极驱动器，适用于具有 2.5A 拉电流和 5A 灌电流的 IGBT 和 MOSFET。输入侧采用 3V 至 5.5V 单电源供电。输出侧允许的电源范围从最小 15 V 到最大 30 V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76 ns 的短传播时间确保了对输出级的精确控制。
内部去饱和 (DESAT) 故障检测可识别 IGBT 何时处于过载状态。检测到 DESAT 后，AD589SH栅极驱动器输出被驱动为低电平至 V EE2电位，立即关闭 IGBT。
当去饱和激活时，会通过隔离栅发送故障信号，将输入侧的FLT输出拉低并阻断隔离器输入。FLT输出条件被锁存，并可通过RST输入处的低电平有效脉冲复位。
当 IGBT 在双极输出电源正常运行期间关闭时，输出被硬钳位至 V EE2。如果输出电源是单极的，则可以使用有源米勒钳位，允许米勒电流通过低阻抗路径吸收，防止 IGBT 在高压瞬态条件下动态开启。
当去饱和激活时，会通过隔离栅发送故障信号，将输入侧的FLT输出拉低并阻断隔离器输入。FLT输出条件被锁存，并可通过RST输入处的低电平有效脉冲复位。
当 IGBT 在双极输出电源正常运行期间关闭时，输出被硬钳位至 V EE2。如果输出电源是单极的，则可以使用有源米勒钳位，允许米勒电流通过低阻抗路径吸收，防止 IGBT 在高压瞬态条件下动态开启。
栅极驱动器的运行准备情况受两个欠压锁定电路的控制，该电路监控输入侧和输出侧电源。如果任一侧供电不足，RDY 输出将变为低电平；否则，此输出为高。
ISO5851-Q1 采用 16 引脚 SOIC 封装。器件的工作温度范围为 –40°C 至 +125°C 环境温度。
特性：
●符合汽车应用要求
●AEC-Q100 符合以下结果：
○器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
○设备 HBM 分类 3A 级
○设备 CDM 分类级别 C6
●在 V CM = 1500 V时，最小共模瞬态抗扰度 (CMTI) 为 100kV/μs
●2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
●短传播延迟：76 ns（典型值）、110 ns（最大值）
●2A 有源米勒钳位
●输出短路钳位
●检测到去饱和时的故障警报在FLT上发出信号并通过RST复位
●具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
●具有低电源或浮动输入的有源输出下拉和默认低输出
●3V 至 5.5V 输入电源电压
●15V 至 30V 输出驱动器电源电压
●CMOS 兼容输入
●抑制小于 20 ns 的输入脉冲和噪声瞬变
●隔离浪涌耐受电压 12800-V PK
应用：
●隔离式 IGBT 和 MOSFET 驱动：
— 工业电机控制驱动器
— 工业电源
— 太阳能逆变器
— HEV 和 EV 功率模块
— 感应加热
参数：
通道数 (#)：1
隔离等级 (Vrms)：5700
电源开关：IGBT
峰值输出电流 (A)：5
DIN V VDE V 0884-10 瞬态过电压额定值 (Vpk)：8000
DIN V VDE V 0884-10 工作电压（Vpk）：2121
输出 VCC/VDD (最大值) (V)：30
输出 VCC/VDD (Min) (V)：15
输入 VCC (最小值) (V)：3
输入 VCC (最大值) (V)：5.5
道具延迟（ns）：76
工作温度范围（℃）：-40 到 125
欠压锁定（典型值）：12
