当大多数智能手机芯片组使用7nm节点制造时，Unisoc最近推出了世界上第一个6nm芯片组，该芯片组是由台积电使用极紫外光刻(EUVL)制造的。但是，其他公司并没有落后很多。
三星是仅次于台积电的全球第二大芯片组制造商，已经开始批量生产6nm和7nm EUV(极紫外)芯片组。现在，该公司宣布计划开始批量生产5nm芯片组。
该公司还补充说，它将继续投资于先进工艺以及GAA 3nm工艺。三星V1工厂位于韩国华城，是生产工厂之一。这是一家拥有最先进技术的专业工厂，能够生产小至3nm的芯片组。
有报道称，谷歌已经与三星合作开发了定制的Exynos芯片组，该芯片组计划于今年发布。预计5nm芯片组将具有八核CPU，该CPU由两个Cortex-A78内核，两个Cortex-A76内核和四个Cortex-A55内核组成。这些图形将由未发布的基于Borr微体系结构的Mali MP20 GPU来处理。据说它还包括谷歌自己的Visual Core ISP和NPU，而不是三星的。
几个月前，据报道三星电子的半导体制造部门赢得了使用来制造新的高通 5G芯片的合同。这是该公司旨在与台积电竞争的主要动力。
为了在竞争者中领先，三星计划从2021年开始批量生产3nm芯片组，但似乎该公司现在被迫将这一新工艺的生产启动推迟到2022年，主要是因为COVID-19的爆发。
据报道，阻碍了三星公司为新生产线完成预定安装设备的能力。三星公司的3nm工艺基于全能门(GAAFET)技术，而不是FinFET。据称，它将总硅片尺寸减小了35%，而功耗却减少了约50%。
与5nm FinFET工艺相比，它还允许相同数量的功耗和33%的性能提升。GAAFET设计与FinFET设计不同，因为它是围绕通道的四个侧面具有栅极而构建的，从而确保了减少的功率泄漏并改善了对通道的控制。