NSi6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管的多种应用场景。它具有很强的驱动能力，可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流。同时它具备了弥勒钳位功能，可以抑制因为弥勒效应带来的管子的误开通，确保系统的可靠性。最低150kV/μs共模瞬变抗扰度（CMTI）确保了系统鲁棒性。驱动器的最大电源电压VCC2为32V，输入侧VCC1为3V至17V电源电压供电。VCC1和VCC2都具有欠压保护（UVLO）。NSi6601M具有高驱动电流，出色的耐用性，宽广的电源电压范围和快速信号传播，适用于高可靠性，高功率密度和高效率开关电源系统。
应用场景
- 汽车电源、OBC/DCDC
- 空调压缩机、工业电机驱动
- 高效高密度工业、通信、服务器电源
- 光伏、储能、UPS等
产品特性
1. 具有很强的驱动能力，可提供5A/5A的拉灌电流峰值电流
2. 集成弥勒钳位功能，钳位电流高达5A，有效抑制因为弥勒效应致使管子误开通，确保了系统的可靠性
3. 超高的共模抗扰能力：150 kV/us
4. 驱动器侧电源电压VCC2最大为32V，输入侧VCC1为3.1V至17V电源电压供电；VCC1和VCC2都具有欠压保护（UVLO）
5. 符合 RoHS 标准的封装类型：SOP8，SOW8
6. 工作环境温度：-40℃ ~ 125℃
7. 符合 RoHS 标准的封装类型：SOW16
NSi6601M功能框图
NSi6601M/NSI6601W引脚图
NSi6601M：有效解决高压高频系统中高dv/dt
随着第三代半导体SiC MOSFET的兴起，更高压、更高频、更小体积、更大功率的系统正成为新的发展趋势。然而在高压高频的应用中系统在运行过程中却总是容易因为dv/dt过高，导致功率管子被烧坏。NSi6601M则能很好解决这一问题。
案例详解
简化应用电路图
使用上图电路图作为例子说明。当下管Q2处于关闭状态，这时上管Q1正在打开，此时SW处会产生dv/dt。在母线电压(DC Bus)越高，开关频率越快的系统中，SW处的dv/dt就会越大。由于下管Q2有寄生电容Cgd，也称弥勒电容，通过I=Cgd * dv/dt，可以知道，系统产生dv/dt 通过Cgd 会产生一定的电流，电流方向从SW往下管Q2的gate 方向流入，由于gate 有一定阻抗，电流乘以阻抗就会在下管Q2的gate 产生电压，当dv/dt 足够大，gate产生电压会高于管子的开通电压，会导致下管Q2误开通，因为此时上管正在开通，会造成上下管短路，烧毁管子。
所以在高频、高压的应用中，系统对驱动IC提出了新的挑战。而使用NSi6601M很好解决上述的痛点。因为NSI66001MC集成弥勒钳位功能，NSi6601M会检测到gate电压的变化，当gate产生的电压高压2V时，NSi6601M内部将弥勒钳位功能开启，将dv/dt 通过Cgd产生的电流以最小阻抗路径释放到VEE，在gate电压钳位到足够低的电压，防止下管Q2误开通。
除此之外，NSi6601M隔离耐压高，宽体SOW8封装Vpk 高达2121V，同时CMTI抗干扰能力超过150kv/us。所以NSi6601M非常适合高频、高压、高可靠性的应用场景，符合电源行业发展的趋势。同时，由于使用纳芯微比较成熟的工艺和IP，NSi6601M具有非常好的性价比，广受市场的欢迎。
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