5 月 27 日，华润微电子有限公司（以下简称“华润微”）代工事业群旗下的无锡华润上华科技有限公司（以下简称“华润上华”）与成都锐成芯微科技股份有限公司（以下简称“成都锐成芯微”）宣布，双方联合推出高可靠性 eFlash 解决方案， 该方案基于华润上华 0.153μm 5V EN CMOS 工艺，并具有独特的成本优势。
华润微 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台由上一代明星工艺平台（0.18μm EN CMOS 工艺平台）优化而来。优化后的工艺成本大大缩减，在未增加光刻层次的情况下，将 N/P MOS 沟道尺寸进一步缩小。该工艺平台器件种类多样，适用于 MCU、LED 显示屏、音频功放、DC-DC 等多种应用场景。
成都锐成芯微的 LogicFlash IP 具有显著的市场竞争优势，成本优、性能高、可靠性高，并兼容标准 CMOS 平台。基于华润上华 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台，成都锐成芯微能同时提供高可靠性和高密度两个版本的 LogicFlash? IP，高密度版本擦写次数可达 10K，高可靠性版本擦写次数可达 50K；两款 IP 读取速度可达 25MHz，写入速度可达 20μS/byte（超快的写入速度可满足终端客户各种应用场景下对高速读写的需求，并有效降低客户测试成本）；两款 IP 可在 150℃ 结温下工作，满足 125℃ 结温下 10 年的数据保持能力的要求，同时满足消费类和工业类产品需求。
基于华润微 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台，成都锐成芯微已完成高密度版本 Logic Flash? IP 的功能、性能和 1000 小时可靠性测试，以及高可靠性版本 LogicFlash? IP 的功能测试。目前，两个版本的 IP 均有客户使用并成功导入量产，客户反馈该技术方案相比其他解决方案具有高性价比、高灵活性等特点。
华润上华设计服务工程中心总监王浩表示：“0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台是公司近些年重点打造的基础工艺平台，其关键工艺参数（On-BV、ESD、Rdson）在业界处于领先地位。公司具备极具市场竞争力的数字单元库（缩小到 60%）和 SRAM（缩小到 58%）。根据市场调研，公司发现其核心客户应用领域从功能单一的 ASIC 芯片向智能化可编程化的 MCU 类芯片发展，eNVM 是 MCU芯片不可或缺的核心 IP。此次与成都锐成芯微的合作，补齐了公司 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台缺少核心 eNVM IP 的短板，为客户提供了更高价值的服务，能够帮助客户提高产品竞争力。”
成都锐成芯微首席执行官向建军表示：“锐成芯微一直致力于 eNVM IP 的开发，通过不断加大研发投入，优化设计，确保在保持高性能的条件下，不断提升成本竞争力，满足客户对于 eNVM IP 的多样性需求。此次和华润上华在 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台的合作，也是为了更好地满足市场需求，为全球客户提供极具成本优势的高性能 eNVM 技术。”