波长:850nm |
颜色 - 增强:红外(NIR)/红 |
频谱范围:400nm ~ 1030nm |
不同 nm 时响应度:0.6 A/W @ 850nm |
响应时间:300ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V |
电流 - 暗(典型值):160pA |
有效面积:1.71mm² |
视角:150° |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-XFBGA,CSPBGA |
波长:850nm |
颜色 - 增强:红外(NIR)/红 |
频谱范围:400nm ~ 1030nm |
不同 nm 时响应度:0.61 A/W @ 850nm,0.43 A/W @ 940nm |
响应时间:300ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V |
电流 - 暗(典型值):5nA |
视角:150° |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:5-XFBGA,CSPBGA |
波长:850nm |
颜色 - 增强:红外(NIR)/红 |
频谱范围:400nm ~ 1030nm |
不同 nm 时响应度:0.6 A/W @ 850nm |
响应时间:300ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V |
电流 - 暗(典型值):80pA |
有效面积:0.86mm² |
视角:150° |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-XFBGA,CSPBGA |
波长:850nm |
颜色 - 增强:红外(NIR)/红 |
频谱范围:400nm ~ 1030nm |
不同 nm 时响应度:0.6 A/W @ 850nm |
响应时间:300ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V |
电流 - 暗(典型值):640pA |
有效面积:6.84mm² |
视角:150° |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:32-XFBGA,CSPBGA |
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