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深圳裕红电子
深圳市裕红电子有限公司 是一家专业从事集成电路及半导体元器件的现货分销商,经过多年的经营及全体同事的共同努力,公司跟原厂,代理商以及欧洲,亚洲的供应商建立了很好的供货关系.公司主要经营品牌: 晨星(Mstar) 、REALTEK(瑞昱)、意法半导体(ST)、爱特梅尔(ATMEL)、微芯(Microchip)、GigaDevice(兆易创新) 、新唐(ISD) 、安森美(ON Semiconductor)、威世半导体(VISHAY)、美台半导体(DIODES)、德州仪器(Texas Instruments)、仙童(FAIRCHILD)、英飞凌(Infineon),美信(MAXIM).恩智浦(NXP),阿尔特拉((ALTERA).特瑞仕(TOREX),等产品,专著于单片机,液晶显示驱动器件,电源管理器件、通信接口器件、时钟管理器件、MOSFET、功率器件、模拟逻辑器件及存储器件的供应,产品应用领域涵盖电源管理、工业通信、无线通信,电力自动化、消费类电子及汽车电子,安防监控等。 公司自成立之日起,就遵循“一流人才,一流管理,一流服务”的发展方针,以“专业、诚信、值得信赖”为经营理念,以“用户第一,服务第一”为原则,高效快捷地为客户服务。我们将坚持不懈地发挥自己在资金、技术、物流等方面的优势,以最合理的价格,最完善的服务,提供最优质的产品,实现与客户长期互惠共赢的合作伙伴关系。实力承诺原装正品: 为你提供最好的品质保障.现货库存: 为你提供最稳定的货源支持一站式采购: 为你提供最便捷的采购方式
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Silan 士兰微 SVG06100NSA 低压MOS功率管
SVG06100NSA N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG10111NA6 低压MOS功率管
SVG10111NA6 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG10111ND 低压MOS功率管
SVG10111ND N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG10170ND(T) 低压MOS功率管
SVG10170ND(T) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG105R0NL5 低压MOS功率管
SVG105R0NL5 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG105R4NT(S) 低压MOS功率管
SVG105R4NT(S) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG15670NSA 低压MOS功率管
SVG15670NSA N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVT03380PSA 低压MOS功率管
SVT03380PSA P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVT035R5NSA 低压MOS功率管
SVT035R5NSA N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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