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集好芯城(辉华拓展)
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集好芯城(辉华拓展)
集好芯城 前身 (辉华拓展)深圳市辉华拓展电子有限公司 2009年2月成立,辉华拓展是一家电子元器件终端服务商,前身核心主要服务于终端客户制造商,服务对象为PCBA贴片厂,汽车行业新能源制造厂,医疗行业仪器仪表,电脑周边芯片,通讯设备行业,自动化设备制造行业,智能家居行业。服务对象有 康迪电动汽车集团 天行健汽车 众泰汽车 优耐特汽车 广汽本田汽车 吉利汽车 恒瑞医疗 迈腾医疗 莱亚特医疗设备 力邦医疗 台湾碁康电脑 米科电脑 中诺通讯 智铸通讯设备 中兴通讯等等,以上客户一律为标准化流程化,使用原装进口芯片,辉华拓展一直是以心换芯的服务标准,辉华拓展代理分销多家海外进口品牌,例如 美光 英飞凌 ON bosch 等等。时间到了2017年,国产芯片来了,开始兴起了,国人的需要改变了,中国芯起来了,此时顾名思义中国芯需求量起来了,辉华集思广益沉淀了两年,这两年时间,辉华拓展就如同周庄梦蝶一般,我思故我在 沉淀终于中国芯里。梦醒时,如何做好中国芯,如何做好中国城,我们要打造一个不一样的商城,我们要做国产芯片做齐全的商城。 时间来到2020年9月28号我们集好芯城正式上线啦...... 为了更好的对接商城新注册了公司,公司名称:深圳市集好芯城科技有限公司,集好芯城要做的是以国产芯片为主的首批芯城平台,已匠心 做国芯 造国傲 建国城 简称集好芯城 。集好芯城以国芯,做国芯 卖好国产芯片为目标,商标注册2019年3月,注册同时已国为本的思路,同时2019年3月开始建立芯城,芯城建立耗时一年七个月。集好芯城坚绝以国产品牌授权代理的大方向为目标,走在时代的前线,走上兴国兴芯的路线,国产芯片未来将是时代的大发展,目前代理的国产品牌有 华冠 必联 辉能 鹏岭 芯力特 静芯微等品牌。走芯国芯邦之路,做前所未有的开创者,唤醒国芯 焕然一新。
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Silan 士兰微 SGT10T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管
SGT10T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT10T60SD1S/F 绝缘栅双极型晶体管
SGT10T60SD1S/F 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT10T60SDM2T 绝缘栅双极型晶体管
SGT10T60SDM 2T 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15T120QR1PT 绝缘栅双极型晶体管
SGT15T120QR1PT绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止(Trench Field Stop)工艺制作,具有低开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15T60QD1F(FD) 绝缘栅双极型晶体管
SGT15T60QD1F/FD绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15T60SDM2T 绝缘栅双极型晶体管
SGT15T60SDM2T绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15U65SD1F 绝缘栅双极型晶体管
SGT15U65SD1F绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus(Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS,电机控制,以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT160U65S1PWA 绝缘栅双极型晶体管
SGT160U65S1PWA 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代升级版场截止(Field Stop IV+)工艺制作,专门为转换器应用设计,具有低饱和压降,低开关损耗的优点,可应用于Motor Drives、DC/AC converter等领域。
Silan 士兰微 SGT21T60SD1FD 绝缘栅双极型晶体管
SGT21T60SD1FD 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS,电机控制,以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT25U120FD1NP7 绝缘栅双极型晶体管
SGT25U120FD1NP7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus(Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT30T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管
SGT30T60SD1F绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS,电动工具以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT30T60SD3P7 绝缘栅双极型晶体管
SGT30T60SD3P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT40T120SDB4P7 绝缘栅双极型晶体管
SGT40T120SDB4P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止(Trench Field Stop IV)工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于变频器,UPS,SMPS等领域。
Silan 士兰微 SGT40U120FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGT40U120FDR1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代升级版槽栅场截止(Field Stop 4+)工艺制作,具有低导通损耗和较低开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于工业焊接,UPS,SMPS,光伏等领域。
Silan 士兰微 SGT50T120FD3PL 绝缘栅双极型晶体管
SGT50T120FD3PL 绝缘栅双极型晶体管采用第四代槽栅场截止(Trench Field Stop)工艺制作,具有低的导通损耗和关断损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于电焊机,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT51V65FD1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGT51V65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT75T65SDM1P4 绝缘栅双极型晶体管
SGT75T65SDM1P4绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP30U60FD1PU 绝缘栅双极型晶体管
SGTP30U60FD1PU绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus(Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP40V65FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGTP40V65FDR1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP75V65FDB1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP75V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
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