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集好芯城(辉华拓展)
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集好芯城(辉华拓展)
集好芯城 前身 (辉华拓展)深圳市辉华拓展电子有限公司 2009年2月成立,辉华拓展是一家电子元器件终端服务商,前身核心主要服务于终端客户制造商,服务对象为PCBA贴片厂,汽车行业新能源制造厂,医疗行业仪器仪表,电脑周边芯片,通讯设备行业,自动化设备制造行业,智能家居行业。服务对象有 康迪电动汽车集团 天行健汽车 众泰汽车 优耐特汽车 广汽本田汽车 吉利汽车 恒瑞医疗 迈腾医疗 莱亚特医疗设备 力邦医疗 台湾碁康电脑 米科电脑 中诺通讯 智铸通讯设备 中兴通讯等等,以上客户一律为标准化流程化,使用原装进口芯片,辉华拓展一直是以心换芯的服务标准,辉华拓展代理分销多家海外进口品牌,例如 美光 英飞凌 ON bosch 等等。时间到了2017年,国产芯片来了,开始兴起了,国人的需要改变了,中国芯起来了,此时顾名思义中国芯需求量起来了,辉华集思广益沉淀了两年,这两年时间,辉华拓展就如同周庄梦蝶一般,我思故我在 沉淀终于中国芯里。梦醒时,如何做好中国芯,如何做好中国城,我们要打造一个不一样的商城,我们要做国产芯片做齐全的商城。 时间来到2020年9月28号我们集好芯城正式上线啦...... 为了更好的对接商城新注册了公司,公司名称:深圳市集好芯城科技有限公司,集好芯城要做的是以国产芯片为主的首批芯城平台,已匠心 做国芯 造国傲 建国城 简称集好芯城 。集好芯城以国芯,做国芯 卖好国产芯片为目标,商标注册2019年3月,注册同时已国为本的思路,同时2019年3月开始建立芯城,芯城建立耗时一年七个月。集好芯城坚绝以国产品牌授权代理的大方向为目标,走在时代的前线,走上兴国兴芯的路线,国产芯片未来将是时代的大发展,目前代理的国产品牌有 华冠 必联 辉能 鹏岭 芯力特 静芯微等品牌。走芯国芯邦之路,做前所未有的开创者,唤醒国芯 焕然一新。
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Silan 士兰微 SVS11N65FJHE2 超结MOS功率管
SVS11N65FJHE2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS11N65FJHE2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS11NF60DD2 超结MOS功率管
SVS11NF60DD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS11NF60DD2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS5N105FD2 超结MOS功率管
SVS5N105FD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS5N105FD2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS60R125FE3 超结MOS功率管
SVS60R125FE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R125FE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS60R160FJDE3 超结MOS功率管
SVS60R160FJDE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R160FJDE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3 超结MOS功率管
SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS60R280FJDE3 超结MOS功率管
SVS60R280FJDE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R280FJDE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS60R300DHE3 超结MOS功率管
SVS60R300DHE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R300DHE3 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS60R570F(FJD)(D)E3 超结MOS功率管
SVS60R570F(FJD)(D)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R570F(FJD)(D)E3 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 超结MOS功率管
SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS65R300FE3 超结MOS功率管
SVS65R300FE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS65R300FE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS70R420D(S)E3 超结MOS功率管
SVS70R420D(S)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS70R420D(S)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 超结MOS功率管
SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVS80R800FJH(D)E3 超结MOS功率管
SVS80R800FJH(D)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS80R800FJH(D)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVSP35NF65P7D3 超结MOS功率管
SVSP35NF65P7D3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVSP35NF65P7D3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
Silan 士兰微 SVSP60R190L8AE3 超结MOS功率管
SVSP60R190L8AE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVSP60R190L8AE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
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