深圳原美光
深圳市原美光科技有限公司注册地址位于深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦11层F,注册机关为福田局,法人代表为林煜昇,经营范围包括一般经营项目是:电子元器件、电子产品、数码通讯产品、电脑周边产品的技术开发与销售;国内贸易;经营进出口业务。(法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营),许可经营项目是:
  • MDT 多维科技 TMR2001 TMR线性传感器

    产品型号:TMR2001
    磁阻结构:全桥
    敏度(mV/V/Oe):8
    电阻(kΩ):60
    本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/
    封装形式:SOT23-5
    兼容型号:
    供电电压:0~7 V
    饱和场(Oe):±25
    敏感方向:X轴
    磁滞(Oe):0.4
    交付周期:In stock
  • MDT 多维科技 TMR2003 TMR线性传感器

    本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/
    封装形式:SOT23-5
    交付周期:In stock
    兼容型号:
    磁阻结构:全桥
    敏度(mV/V/Oe):6
    饱和场(Oe):±35
    磁滞(Oe):0.4
    产品型号:TMR2003
    供电电压:0~7 V
    电阻(kΩ):60
    敏感方向:X轴
  • MDT 多维科技 TMR2005 TMR线性传感器

    兼容型号:
    磁阻结构:全桥
    电阻(kΩ):60
    磁滞(Oe):0.5
    交付周期:In stock
    产品型号:TMR2005
    供电电压:0~7 V
    敏度(mV/V/Oe):3
    饱和场(Oe):±60
    敏感方向:X轴
    本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/
    封装形式:SOT23-5
  • MDT 多维科技 TMR2009 TMR线性传感器

    电阻(kΩ):10,60
    饱和场(Oe):±200
    本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/
    封装形式:SOT23-5
    产品型号:TMR2009
    磁阻结构:全桥
    供电电压:0~7 V
    磁滞(Oe):1.2
    交付周期:In stock
    兼容型号:
    敏度(mV/V/Oe):0.3
    敏感方向:X轴

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