储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):62° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):62° |
透过波长范围:8~14μm 带通 |
平均透过率:≥75%,8~14μm |
平均截止率:1%,<7.5μm;1%, 15~21μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):7° |
DS比率:10:1 |
焦距 (未镀膜硅透镜):10.6mm |
透过波长范围:可提供镀膜:5.5~14μm 长波通;8.0~14μm带通 |
平均透过率:50% 5.5~14μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):12° |
DS比率:8:1 |
焦距 (未镀膜硅透镜):5.5mm |
透过波长范围:可提供镀膜:5.5~14μm 长波通;8.0~14μm带通 |
平均透过率:50% 5.5~14μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):18° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):83° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):83° |
滤光片类型:带通滤光片 |
透过波长范围:8~14μm |
平均透过率:≥75%,8~14μm |
平均截止率:1%,<7.5μm;1%, 15~21μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.1×1.1mm2 |
感应区域:0.75×0.75mm2 |
视场(50%最大信号):83° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.1×1.1mm2 |
感应区域:0.75×0.75mm2 |
视场 (50%最大信号):76° |
透过波长范围:5.5~14μm 长波通 |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):10° |
DS比率:8:1 |
透过波长范围:5.5~14μm 长波通 |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
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