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深圳市港深电子有限公司 专营世界各国名牌厂家的集成电路及其它电子元件, 产品广泛应用于民用、工业、军事等不同领域。信誉第一是我们的宗旨, 库存大量现货是我们的实力。我们有多渠道的货源、多品种的库存,我们将一如既往的以信誉为基础,以朋友的心态来对待每一位新老客户。本公司以“客户至上,质量第一”为宗旨,深信社会各界人士的支持是公司取得成功的一个重要部分,“诚信是合作的前提,合作是成功的关键。”本公司竭诚为广大客户提供可靠,周到,满意,快捷的服务, 期待与您携手合作,共创美好的明天。主营世界知名品牌元件,偏冷门元件,军品元件。
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Silan 士兰微 SVG06100NSA 低压MOS功率管
SVG06100NSA N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG10111NA6 低压MOS功率管
SVG10111NA6 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG10111ND 低压MOS功率管
SVG10111ND N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG10170ND(T) 低压MOS功率管
SVG10170ND(T) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG105R0NL5 低压MOS功率管
SVG105R0NL5 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG105R4NT(S) 低压MOS功率管
SVG105R4NT(S) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG15670NSA 低压MOS功率管
SVG15670NSA N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVT03380PSA 低压MOS功率管
SVT03380PSA P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVT035R5NSA 低压MOS功率管
SVT035R5NSA N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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