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深圳金华洋
深圳市金华洋世纪科技有限公司 注册地址位于深圳市福田区华强北街道华航社区中航路18号新亚洲国利大厦2741，注册机关为深圳市市场监督管理局，法人代表为赵敏，经营范围包括一般经营项目是：电子产品的技术开发与购销；国内贸易（以上不含专营、专控、专卖商品及限制项目）；经营进出口业务。（法律、行政法规规定禁止的项目除外；法律、行政法规规定限制的项目须取得许可证后方可经营），许可经营项目是：,
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  • MDT 多维科技 TMR2102 大动态范围TMR线性传感器

    供电电压:0～7 V
    敏度（mV/V/Oe）:4.9
    敏感方向:X轴
    磁滞（Oe）:0.1
    本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）:～10
    交付周期:In stock
    兼容型号:MMLP57F
    磁阻结构:全桥
    电阻（kΩ）:90/45
    饱和场（Oe）:±90
    封装形式:SOP8 DFN8L(3×3×0.75)
    产品型号:TMR2102

  • MDT 多维科技 TMR2103 大动态范围TMR线性传感器

    产品型号:TMR2103
    磁阻结构:全桥
    电阻（kΩ）:50
    饱和场（Oe）:±75
    本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）:～10
    封装形式:SOP8 DFN8L(3×3×0.75)
    交付周期:In stock
    兼容型号:—
    供电电压:0～7 V
    敏度（mV/V/Oe）:6
    敏感方向:X轴
    磁滞（Oe）:0.3

  • MDT 多维科技 TMR2104 大动态范围TMR线性传感器

    敏感方向:X轴
    交付周期:In stock
    产品型号:TMR2104
    供电电压:0～7 V
    饱和场（Oe）:±150
    电阻（kΩ）:30
    磁滞（Oe）:0.5
    本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）:～10
    封装形式:SOP8 DFN8L(3×3×0.75)
    兼容型号:—
    磁阻结构:全桥
    敏度（mV/V/Oe）:3.1

  • MDT 多维科技 TMR2105 大动态范围TMR线性传感器

    磁阻结构:全桥
    供电电压:0～7 V
    饱和场（Oe）:±1000
    敏感方向:X轴
    本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）:/
    封装形式:LGA4（2×1.5×0.73）
    交付周期:In stock
    产品型号:TMR2105
    兼容型号:—
    敏度（mV/V/Oe）:0.3
    电阻（kΩ）:60
    磁滞（Oe）:1.5

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