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深圳晶茂集成电路

深圳市晶茂集成电路有限公司注册地址位于深圳市龙岗区吉华街道甘坑社区甘李二路8号华通大厦1909，注册机关为龙岗局，法人代表为邓艳华，经营范围包括一般经营项目是：集成电路IC设计与研发；晶圆、芯片、集成电路IC、电子元器件、电子电脑硬件产品的销售，国内贸易，经营进出口业务。

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Silan 士兰微 SGT10T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管

SGT10T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field StopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT10T60SD1S/F 绝缘栅双极型晶体管

SGT10T60SD1S/F 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field StopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT10T60SDM2T 绝缘栅双极型晶体管

SGT10T60SDM 2T 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field StopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15T120QR1PT 绝缘栅双极型晶体管

SGT15T120QR1PT绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止（Trench Field Stop）工艺制作，具有低开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热，UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15T60QD1F(FD) 绝缘栅双极型晶体管

SGT15T60QD1F/FD绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field StopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15T60SDM2T 绝缘栅双极型晶体管

SGT15T60SDM2T绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15U65SD1F 绝缘栅双极型晶体管

SGT15U65SD1F绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus（Field Stop IV+）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS，电机控制，以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT160U65S1PWA 绝缘栅双极型晶体管

SGT160U65S1PWA 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代升级版场截止（Field Stop IV+）工艺制作，专门为转换器应用设计，具有低饱和压降，低开关损耗的优点，可应用于Motor Drives、DC/AC converter等领域。
Silan 士兰微 SGT21T60SD1FD 绝缘栅双极型晶体管

SGT21T60SD1FD 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field StopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS，电机控制，以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT25U120FD1NP7 绝缘栅双极型晶体管

SGT25U120FD1NP7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus（Field Stop IV+）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT30T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管

SGT30T60SD1F绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS，电动工具以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT30T60SD3P7 绝缘栅双极型晶体管

SGT30T60SD3P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT40T120SDB4P7 绝缘栅双极型晶体管

SGT40T120SDB4P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止（Trench Field Stop IV）工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于变频器，UPS，SMPS等领域。
Silan 士兰微 SGT40U120FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管

SGT40U120FDR1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代升级版槽栅场截止（Field Stop 4+）工艺制作，具有低导通损耗和较低开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于工业焊接，UPS，SMPS，光伏等领域。
Silan 士兰微 SGT50T120FD3PL 绝缘栅双极型晶体管

SGT50T120FD3PL 绝缘栅双极型晶体管采用第四代槽栅场截止（Trench Field Stop）工艺制作，具有低的导通损耗和关断损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于电焊机，UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT51V65FD1P7 绝缘栅双极型晶体管

SGT51V65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT75T65SDM1P4 绝缘栅双极型晶体管

SGT75T65SDM1P4绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP30U60FD1PU 绝缘栅双极型晶体管

SGTP30U60FD1PU绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus（Field Stop IV+）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP40V65FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管

SGTP40V65FDR1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管

SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP75V65FDB1P7 绝缘栅双极型晶体管

SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP75V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管

SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。