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深圳辰华鼎盛
深圳市辰华鼎盛电子科技有限公司 注册地址位于深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦821,注册机关为深圳市市场监督管理局,法人代表为张宝柱,经营范围包括一般经营项目是:通用机械、专用设备、电气机械、通讯设备、电子产品、电子元器件、仪器仪表、办公用机械、汽车零配件、摩托车零配件、五金、交电、塑胶制品、家用电器、办公电器、化工产品(不含危险化学品)的技术开发、技术咨询及销售;经济信息咨询(不含中介服务);从事广告业务。
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产品列表
Silan 士兰微 SGT10T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管
SGT10T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT10T60SD1S/F 绝缘栅双极型晶体管
SGT10T60SD1S/F 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT10T60SDM2T 绝缘栅双极型晶体管
SGT10T60SDM 2T 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15T120QR1PT 绝缘栅双极型晶体管
SGT15T120QR1PT绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止(Trench Field Stop)工艺制作,具有低开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15T60QD1F(FD) 绝缘栅双极型晶体管
SGT15T60QD1F/FD绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15T60SDM2T 绝缘栅双极型晶体管
SGT15T60SDM2T绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15U65SD1F 绝缘栅双极型晶体管
SGT15U65SD1F绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus(Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS,电机控制,以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT160U65S1PWA 绝缘栅双极型晶体管
SGT160U65S1PWA 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代升级版场截止(Field Stop IV+)工艺制作,专门为转换器应用设计,具有低饱和压降,低开关损耗的优点,可应用于Motor Drives、DC/AC converter等领域。
Silan 士兰微 SGT21T60SD1FD 绝缘栅双极型晶体管
SGT21T60SD1FD 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS,电机控制,以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT25U120FD1NP7 绝缘栅双极型晶体管
SGT25U120FD1NP7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus(Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT30T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管
SGT30T60SD1F绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS,电动工具以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT30T60SD3P7 绝缘栅双极型晶体管
SGT30T60SD3P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT40T120SDB4P7 绝缘栅双极型晶体管
SGT40T120SDB4P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止(Trench Field Stop IV)工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于变频器,UPS,SMPS等领域。
Silan 士兰微 SGT40U120FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGT40U120FDR1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代升级版槽栅场截止(Field Stop 4+)工艺制作,具有低导通损耗和较低开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于工业焊接,UPS,SMPS,光伏等领域。
Silan 士兰微 SGT50T120FD3PL 绝缘栅双极型晶体管
SGT50T120FD3PL 绝缘栅双极型晶体管采用第四代槽栅场截止(Trench Field Stop)工艺制作,具有低的导通损耗和关断损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于电焊机,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT51V65FD1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGT51V65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT75T65SDM1P4 绝缘栅双极型晶体管
SGT75T65SDM1P4绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP30U60FD1PU 绝缘栅双极型晶体管
SGTP30U60FD1PU绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus(Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP40V65FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGTP40V65FDR1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP75V65FDB1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP75V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
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