产品种类:光电二极管 |
商标:Vishay Semiconductors |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Cut Tape |
工厂包装数量:3000 |
湿度敏感性:Yes |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:55 deg |
单位重量:236.111 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Cut Tape |
峰值波长:910 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:55 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:140 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3.9 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon PIN Photodiode |
长度:6.4 mm |
高度:1.2 mm |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:35 deg |
单位重量:364.200 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMD |
资格:AEC-Q101 |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:12 uA |
半强度角度:15 deg |
单位重量:100 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:2.3 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:6000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMD |
资格:AEC-Q101 |
长度:2.3 mm |
高度:2.77 mm |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :25 V |
上升时间:40 ns |
下降时间:40 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:60 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:201.285 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:11E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:4.24 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:PIN Photodiode |
系列:TEMD |
资格:AEC-Q101 |
长度:5 mm |
高度:1.12 mm |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:300 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :10 V |
上升时间:3.4 us |
下降时间:3.7 us |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:60 uA |
半强度角度:50 deg |
单位重量:1.849 g |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:Through Hole |
宽度:9.1 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-5 |
峰值波长:920 nm |
工厂包装数量:500 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:9.1 mm |
高度:3.1 mm |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:35 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:237.220 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:3.9 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon PIN Photodiode |
长度:6.4 mm |
高度:1.2 mm |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:85 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:337.233 mg |
响应率:0.6 A/W |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:5 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Side Looker |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:4000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 55 C |
系列:BPV22NF |
长度:4.5 mm |
高度:6 mm |
If - 正向电流:50 mA |
Vr - 反向电压 :6 V |
上升时间:70 ns |
下降时间:70 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Cut Tape |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:4000 |
暗电流:30 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:104 mW |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:75 deg |
单位重量:175.541 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:350 nm to 1100 nm |
工厂包装数量:5000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:70 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:5.058 g |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:4.3 mm |
封装:Tube |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:1800 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:4.5 mm |
高度:2 mm |
产品种类:光电二极管 |
商标:Vishay Semiconductors |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装:Cut Tape |
工厂包装数量:3000 |
湿度敏感性:Yes |
系列:TEMD |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:240 mW |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:30 ns |
下降时间:30 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:26 uA |
半强度角度:65 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:SMD-4 |
峰值波长:820 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:200 pA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMD |
资格:AEC-Q101 |
产品种类:光电二极管 |
商标:Vishay Semiconductors |
封装:Reel |
工厂包装数量:3000 |
系列:TEMD |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:45 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:99.701 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:4.3 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-5 |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:4.65 mm |
高度:2 mm |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:45 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:778 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:3 mm |
封装:Bulk |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:4000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:5 mm |
高度:6.4 mm |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:65 deg |
商标:Vishay Semiconductors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 110 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:VEMD5010X01 |
资格:AEC-Q101 |
If - 正向电流:50 mA |
Pd-功率耗散:215 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :60 V |
上升时间:100 ns |
下降时间:100 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:55 uA |
半强度角度:65 deg |
单位重量:219.425 mg |
商标:Vishay Semiconductors |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:5 mm |
封装:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:TEMD |
资格:AEC-Q101 |
长度:4.2 mm |
高度:1.08 mm |
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