If - 正向电流:1 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1 V |
Vr - 反向电压 :32 V |
上升时间:200 ns |
下降时间:200 ns |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:5.4 uA |
半强度角度:45 deg |
商标:Sharp Microelectronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:3.75 mm |
封装 / 箱体:Side Looker |
峰值波长:960 nm |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:10 nA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 25 C |
湿度敏感性:Yes |
长度:4 mm |
高度:5 mm |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vr - 反向电压 :32 V |
上升时间:200 ns |
下降时间:200 ns |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:3 uA |
半强度角度:45 deg |
响应率:1 A/W |
商标:Sharp Microelectronics |
安装风格:Through Hole |
宽度:3.75 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:Side Looker |
峰值波长:1000 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:500 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 25 C |
长度:4 mm |
高度:5 mm |
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