MDT 多维科技
江苏多维科技有限公司(多维科技)是全球性的高端磁阻传感器技术先行者,专业为全球客户提供高品质和创新型的磁阻传感器芯片以及稳定、精确的磁场检测方案。多维科技拥有多项独有的专利技术和先进的制造能力,可批量生产高性能、低成本TMR磁传感器以满足严格的应用需求。多维科技的核心管理团队由磁传感器技术和工程服务领域的业内精英和资深专家组成。在核心团队的带领下,多维科技致力于为客户带来更多附加值,并确保他们的成功。磁阻传感器是一种基于纳米薄膜技术和半导体制备工艺的重要器件,它通过探测磁场信息来精确测量电流、位置、方向、转动、角度等物理参数,能满足工业控制、汽车、精密机床、机器人、金融机具、智能安防、环境监测、医疗和生物传感器等各种终端应用领域对磁信息探测传感器精度、准确度和稳定性的严格要求。江苏多维科技有限公司提供的选项服务包括:TMR晶圆• 以晶圆、裸片或封装器件的形式提供TMR磁传感器 • 为TMR/GMR/AMR磁传感器提供定制设计服务 • 专用集成电路(ASIC)设计 • 为TMR/GMR/AMR磁传感器提供晶圆代工服务 • 定制传感器模块设计与应用解决方案MEMS产线(IDM&代工)-6 / 8英寸成立于2010年,总部在江苏张家港,建设有完整的第四代磁传感技术——隧道磁电阻(TMR)的磁性感应芯片产线。多维科技的磁传感器晶圆代工厂拥有6英寸和8英寸MEMS晶圆产线,提供完整的磁传感器(AMR / GMR / TMR)开发及晶圆制造服务(包括设计、制造和测试),年产10亿个TMR磁传感器。2021年5月多维科技获4亿元融资,将用于对现有产线进行升级,能够进一步强化“自研、自产、技术领先”的核心竞争力。
  • MDT 多维科技 TMR2001 TMR线性传感器

    产品型号:TMR2001
    磁阻结构:全桥
    敏度(mV/V/Oe):8
    电阻(kΩ):60
    本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/
    封装形式:SOT23-5
    兼容型号:
    供电电压:0~7 V
    饱和场(Oe):±25
    敏感方向:X轴
    磁滞(Oe):0.4
    交付周期:In stock
  • MDT 多维科技 TMR2003 TMR线性传感器

    本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/
    封装形式:SOT23-5
    交付周期:In stock
    兼容型号:
    磁阻结构:全桥
    敏度(mV/V/Oe):6
    饱和场(Oe):±35
    磁滞(Oe):0.4
    产品型号:TMR2003
    供电电压:0~7 V
    电阻(kΩ):60
    敏感方向:X轴
  • MDT 多维科技 TMR2005 TMR线性传感器

    兼容型号:
    磁阻结构:全桥
    电阻(kΩ):60
    磁滞(Oe):0.5
    交付周期:In stock
    产品型号:TMR2005
    供电电压:0~7 V
    敏度(mV/V/Oe):3
    饱和场(Oe):±60
    敏感方向:X轴
    本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/
    封装形式:SOT23-5
  • MDT 多维科技 TMR2009 TMR线性传感器

    电阻(kΩ):10,60
    饱和场(Oe):±200
    本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/
    封装形式:SOT23-5
    产品型号:TMR2009
    磁阻结构:全桥
    供电电压:0~7 V
    磁滞(Oe):1.2
    交付周期:In stock
    兼容型号:
    敏度(mV/V/Oe):0.3
    敏感方向:X轴

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