If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:250 mW |
Vf - 正向电压:1.2 V |
Vr - 反向电压 :10 V |
上升时间:1.5 us |
下降时间:1.5 us |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:- |
半强度角度:55 deg |
单位重量:870 mg |
响应率:0.34 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:7.2E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:9.5 mm |
封装:Cut Tape |
封装 / 箱体:TO-5 |
峰值波长:550 nm |
工厂包装数量:40 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 80 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range |
长度:9.5 mm |
零件号别名:Q62702P0885 |
高度:3.7 mm |
If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.2 V |
Vr - 反向电压 :6 V |
上升时间:200 us |
下降时间:200 us |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:6.3 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:44 mg |
响应率:0.17 A/W |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:4 mm |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:DIL-SMT-2 |
峰值波长:570 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:100 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon Photodiode |
资格:AEC-Q101 |
长度:4.5 mm |
零件号别名:Q65110A2673 |
高度:1.2 mm |
If - 正向电流:80 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:80 uA |
半强度角度:20 deg |
单位重量:230 mg |
响应率:0.62 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:5 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:5.9 mm |
零件号别名:Q62702P0955 |
高度:9 mm |
Vr - 反向电压 :16 V |
上升时间:1.6 us |
下降时间:0.04 us |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:60 deg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Cut Tape |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:SFH 2201 A01 |
零件号别名:Q65113A3135 |
If - 正向电流:10 mA |
Vr - 反向电压 :16 V |
上升时间:22 ns |
下降时间:31 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:950 nA |
半强度角度:63 deg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:PCB Mount |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:3.2 mm x 2 mm |
峰值波长:635 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:100 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65112A8151 |
If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :32 V |
上升时间:20 ns |
下降时间:20 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:80 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:43 mg |
响应率:0.62 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:4.1E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:4 mm |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:DIL-SMT-2 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
类型:Silicon PIN Photodiode |
资格:AEC-Q101 |
长度:4.5 mm |
零件号别名:Q65110A2701 BPW 34 SR Q65110A2701 |
高度:1.2 mm |
If - 正向电流:80 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:50 uA |
半强度角度:20 deg |
单位重量:300 mg |
响应率:0.59 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:5 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
资格:AEC-Q101 |
长度:5.9 mm |
零件号别名:Q62702P0956 |
高度:9 mm |
If - 正向电流:80 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:6.2 uA |
半强度角度:75 deg |
单位重量:200 mg |
响应率:0.59 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:5 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
资格:AEC-Q101 |
长度:5.9 mm |
零件号别名:Q62702P0947 |
高度:5 mm |
产品种类:光电二极管 |
单位重量:12 mg |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:2000 |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
零件号别名:Q65110A2628 SFH 2400 Q65110A2628 |
If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :32 V |
上升时间:20 ns |
下降时间:20 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:800 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:300 mg |
响应率:0.62 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:4.2E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:4.1 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:5.1 mm |
零件号别名:Q62702P0129 |
高度:6.9 mm |
If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :32 V |
上升时间:20 ns |
下降时间:20 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:60 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:300 mg |
响应率:0.63 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.9 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
资格:AEC-Q101 |
长度:5.9 mm |
零件号别名:Q62702P1677 |
高度:9 mm |
产品种类:光电二极管 |
单位重量:43 mg |
商标:ams OSRAM |
封装:Cut Tape |
工厂包装数量:1500 |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
零件号别名:Q65110A2740 BPW 34 FSR Q65110A2740 |
产品种类:光电二极管 |
单位重量:44 mg |
商标:ams OSRAM |
寿命周期:寿命结束: 将过时且制造商将停产。 |
封装:Cut Tape |
工厂包装数量:1500 |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
零件号别名:Q65110A4263 BP 104 FASR Q65110A4263 |
产品种类:光电二极管 |
商标:ams OSRAM |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Reel |
工厂包装数量:3000 |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65113A2349 |
产品种类:光电二极管 |
单位重量:35 mg |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:1000 |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65110A1204 SFH 2505 FA Q65110A1204 |
If - 正向电流:80 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vf - 正向电压:1.3 V |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:9.5 uA |
半强度角度:75 deg |
单位重量:300 mg |
响应率:0.62 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:5 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 3/4 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
长度:5.9 mm |
零件号别名:Q62702P0942 |
高度:5 mm |
Vr - 反向电压 :16 V |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:60 deg |
单位重量:4 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:620 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:10 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
零件号别名:Q65112A0954 |
If - 正向电流:100 mA |
Pd-功率耗散:150 mW |
Vr - 反向电压 :5 V |
上升时间:0.04 us |
下降时间:0.04 us |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:13 uA |
半强度角度:60 deg |
单位重量:145.587 mg |
响应率:0.45 A/W |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:D5140 |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65112A3981 |
If - 正向电流:5 mA |
Vr - 反向电压 :5 V |
上升时间:0.12 us |
下降时间:0.12 us |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:1.5 uA |
半强度角度:70 deg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:SMD-2 |
峰值波长:890 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:5 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
系列:CHIPLED |
资格:AEC-Q101 |
零件号别名:Q65112A4786 |
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