Pd-功率耗散:360 mW |
Vr - 反向电压 :200 V |
上升时间:350 ps |
下降时间:- |
产品:Avalanche Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:1 uA |
半强度角度:113 deg |
单位重量:11.688 g |
响应率:50 A/W |
商标:TE Connectivity / First Sensor |
噪声等效功率 - NEP:2E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:9.2 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:TO-5 |
峰值波长:800 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:500 pA |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
类型:Avalanche Photodiode Amplifier Hybrid |
系列:APD Series 8 |
长度:9.2 mm |
零件号别名:AD500-8-1.3G TO5 50000301 / 05-006 / 5000002 |
高度:4.2 mm |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:4 us |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
光电流:2 uA |
响应率:0.4 A/W |
商标:TE Connectivity / First Sensor |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:21 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:CERsmd |
峰值波长:633 nm |
工厂包装数量:5 |
暗电流:80 nA |
最大工作温度:+ 80 C |
最小工作温度:- 20 C |
类型:Position Sensing Photodiode |
系列:PSD Series 7 |
长度:25 mm |
零件号别名:500952 / 3001156 |
高度:2.1 mm |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:2000 ns |
产品:Quad PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
响应率:0.64 A/W |
商标:TE Connectivity / First Sensor |
噪声等效功率 - NEP:9E-15 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:5.4 mm |
封装 / 箱体:TO-52 |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:250 |
暗电流:100 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:PIN Photodiode |
系列:QP Series 6 |
长度:5.4 mm |
零件号别名:501222 / 5000029 / 03-224 |
高度:3.8 mm |
上升时间:2 ns |
产品:Photodiode Arrays |
产品种类:光电二极管 |
单位重量:12.210 g |
响应率:60 A/W |
商标:TE Connectivity / First Sensor |
安装风格:SMD/SMT |
封装 / 箱体:SOJ-22 |
峰值波长:910 nm |
工厂包装数量:20 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 20 C |
零件号别名:50109701 / 501097 |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:2000 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
响应率:0.64 A/W |
商标:TE Connectivity / First Sensor |
噪声等效功率 - NEP:1.3E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:9 mm |
封装 / 箱体:TO-5 |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:10 |
暗电流:200 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:PIN Photodiode |
系列:PIN Series 6 |
长度:9 mm |
零件号别名:501193 / 3001208 |
高度:4.3 mm |
上升时间:0.55 ns |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
响应率:58 A/W |
商标:TE Connectivity / First Sensor |
安装风格:SMD/SMT |
封装 / 箱体:LCC6.1 |
峰值波长:910 nm |
工厂包装数量:1 |
暗电流:800 pA |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 20 C |
零件号别名:50112201 / 501122 |
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