小程序
传感搜
传感圈
OPTEK / TT Electronics
英国 TT Electronics 的 Optek （Optek Technology）品牌为感应和照明应用设计、制造创新型光电解决方案。我们还能设计制造用于标牌、娱乐、外部和室内照明应用以及汽车和高可靠性应用的标准和专用照明组件。我们因能够提供在多种应用中使用的高度工程化和特定应用的光电传感器而受到广泛认可，包括办公设备、工业应用、编码器、军事和高可靠性应用、医疗诊断设备等。我们的霍尔效应和磁阻元件广泛应用于汽车行业的发动机控制和点火安全。OPTEK 还向数据通信领域提供其技术来制造工厂车间和当今高端汽车中使用的光纤组件。TT Electronics 是工程电子领域的一家面向性能关键型应用的全球供应商。TT 在全球 29 个主要地区拥有近 5,000 名员工，设计制造各种各样用于检测、电源管理和连接的电子器件，这些产品涵盖工业、医疗、航空航天、国防和运输等众多领域。主要产品 光纤元器件/组件光电器件磁传感器传感器：红外线/霍尔效应LED（SMT/通孔）：红外线和可见光
访问主页

  • 光电晶体管 Photo Transistor

    产品种类:光电晶体管
    商标:Optek / TT Electronics
    封装:Bulk
    工厂包装数量:400

  • 光电晶体管 Photo Transistor

    Pd-功率耗散:250 mW
    上升时间:7 us
    下降时间:7 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    单位重量:383.851 mg
    商标:Optek / TT Electronics
    安装风格:Through Hole
    宽度:5.84 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:TO-18-2
    峰值波长:890 nm
    工厂包装数量:1000
    开启状态集电极最大电流:3 mA
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 125 C
    最小工作温度:- 65 C
    波长:890 nm
    类型:NPN Silicon Phototransistor
    长度:5.84 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
    集电极—射极击穿电压:30 V
    集电极—射极饱和电压:400 mV
    高度:5.88 mm

  • 光电晶体管 Photo Transistor

    Pd-功率耗散:250 mW
    上升时间:7 us
    下降时间:7 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    商标:Optek / TT Electronics
    安装风格:Through Hole
    宽度:4.75 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:TO-18-3
    峰值波长:890 nm
    工厂包装数量:1000
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 125 C
    最小工作温度:- 65 C
    波长:890 nm
    类型:NPN Silicon Phototransistor
    长度:4.75 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
    集电极—射极击穿电压:30 V
    高度:7.61 mm

  • 光电晶体管 PHOTOSENSOR

    Pd-功率耗散:100 mW
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    单位重量:174 mg
    商标:Optek / TT Electronics
    安装风格:Through Hole
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1-2
    峰值波长:935 nm
    工厂包装数量:1000
    开启状态集电极最大电流:5.95 mA
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:935 nm
    类型:NPN Silicon Phototransistor
    透镜颜色/类型:Blue
    集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
    集电极—射极击穿电压:30 V
    集电极—射极饱和电压:400 mV
    高度:5.08 mm

  • 光电晶体管 Photo Transistor

    Pd-功率耗散:250 mW
    上升时间:7 us
    下降时间:7 us
    产品:Phototransistors
    产品种类:光电晶体管
    商标:Optek / TT Electronics
    安装风格:Through Hole
    宽度:4.75 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:TO-18-3
    峰值波长:890 nm
    工厂包装数量:1000
    开启状态集电极最大电流:3.6 mA
    暗电流:100 nA
    最大工作温度:+ 125 C
    最小工作温度:- 65 C
    波长:890 nm
    类型:NPN Silicon Phototransistor
    长度:4.75 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
    集电极—射极击穿电压:30 V
    高度:7.61 mm

查看更多

登录新利18国际娱乐查看更多信息

立即登录 免费注册