供电电流:高：14 mA 典型值，低：7 mA 典型值 |
输出类型:电流源 |
系列名称:VF401 |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 速度、方向或位置传感器集成电路 |
电源电压:4.5 Vdc 至 16 Vdc |
励磁器类型:差动电桥 |
开关下降时间（90% 至 10%）:最大 1.5 µs |
封装类型:扁平 TO-92 式，500 件/包 |
开关上升时间（10% 至 90%）:最大 1.5 µs |
产品类型: 霍尔效应数字式位置传感器集成电路 |
电源电压:3.4 Vdc 至 24 Vdc |
工作频率:最小 0 Hz 至最大 10000 Hz |
开关下降时间（90% 至 10%）:最大 1.5 µs |
开关上升时间（10% 至 90%）:最大 1.5 µs |
释放点:典型值 -130 G (25°C) |
操作点:典型值 130 G |
存储温度:-40°C 至 +165°C [-40°F 至 +329°F] |
供电电流:关：最大 12 mA，开：最大 14 mA |
输出类型:灌电流 |
系列名称:VF526DT |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
漏电流:最大 10 µA |
输出电流:每输出最大 5 mA |
励磁器类型:闭锁 |
差压:典型值 260 G |
封装类型:SOT-89B、卷带和卷盘，1000 件/盘 |
输出电压:最大 0.4 Vdc |
输出类型:灌电流 |
供电电流:10 mA |
系列名称:VG481V1 |
工作温度:-40°C 至 150°C |
产品类型:后偏置霍尔效应速度传感器 IC |
漏电流:最大 10 µA |
电源电压:4 Vdc 至 24 Vdc |
开关下降时间（90% 至 10%）:最大 1 µs |
输出电流沉:最大 5 mA |
封装类型:扁平 TO-92 式，标准直引脚，散装，1000 件/袋 |
开关上升时间（10% 至 90%）:最大 10 µs |
存储温度:-55°C 至 150°C |
产品类型:各向异性磁阻式 (AMR) 速度传感器集成电路;各向异性磁阻式 (AMR) 速度、方向或位置传感器集成电路;各向异性磁阻式 (AMR) 速度和方向传感器集成电路 |
电源电压:4 Vdc 至 24 Vdc;4 Vdc 至 24 Vdc（-40°C 至 110°C），4.0 V 至 9 V (150°C) |
开关下降时间（90% 至 10%）:最大 1.5 µs |
开关上升时间（10% 至 90%）:最大 8 µs;最大 1.5 µs |
存储温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
供电电流:最大值 20 mA;高：14 mA 典型值，低：6.95 mA 典型值 |
输出类型:二针 PWM 电流;四针正交、集电极开路;二针电流 |
系列名称:VM |
工作温度:-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F] |
漏电流:最大 10 µA |
励磁器类型:AMR 桥式阵列 |
输出电流:最大值 20 mA |
封装类型:2 针 SIP、500 件/包;4 针 SIP、500 件/包 |
输出电压:最大 0.4 Vdc |
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