研发和生产 SOI ( Silicon On Insulator) 晶圆的企业
苏州迈姆思半导体有限公司 2021年拿到苏州工业园区重大领军项目，2022年在苏州工业园区建立公司总部作为生产中心，用于大规模量产 SOI晶圆和开发新的晶圆材料。
公司在国外已经研究开发这种材料超过 15 年，并在技术上取得了实质性进展，研发的 SOI技术，属于第三代半导体先进技术，填补了我国在 SOI 加工领域高级工艺技术的空白。国内已有矩阵光电，西人马，司南传感，微视传感等稳定客户。
苏州迈姆思半导体科技有限公司秉持着“创新”“品质”“真诚”的经营理念，同国内以及国外众多知名企业进行了广泛的业务合作，高质量的产品与服务为我们赢得了良好的信誉，期待更多的用户能够和我们建立更长久的合作关系。
SOI 技术的优点
SOI通过绝缘埋层( 通常为SiO2) 实现了器件和衬底的全介质隔离,在器件性能上具有以下优点:
减小了寄生电容, 提高了运行速度。与体硅材料相比, SOI 器件的运行速度提高了20- 35%;
具有更低的功耗。由于减小了寄生电容, 降低了漏电, SOI 器件功耗可减小35- 70%;
消除了闭锁效应;
抑制了衬底的脉冲电流干扰, 减少了软错误的发生
与现有硅工艺兼容, 可减少13- 20%的工序。
SOI 在高性能超大规模集成电路、高速存贮设备、低功耗电路、高温传感器、军用抗辐照器件、移动通讯系统、光电子集成器件以及MEMS(微机电)等领域具有极其广阔的应用前景.因此被称为二十一世纪的微电子技术。SOI技术也越来越受到业界的关注。
SOI 技术发展前景
近年来由于对SOI 研究的深入, 制备技术取得了重大的进步, 且SOI 的批量化生产技术正在逐步走向成熟。我们发明的GCIF(Grinding chuckimpact free) 技术能做到顶层0.5um厚度，均匀度+/-0.05 微米，且应力＜市场的50%，通过CMP达到离子注入高成本投入的效果，这些都为SOI技术的发展带来了新的契机，因此, 加大对SOI新技术的研究投入具有非常重要的战略意义。
