江苏能华微电子科技发展有限公司 于2010年成立，是一家专注于第三代半导体GaN的高新技术企业，核心团队汇聚了从外延到器件设计、制造工艺，封装和测试到应用模块等各个环节的科技创新型高级专家，是全球为数不多同时掌握增强型GaN技术、耗尽型GaN技术以及耗尽型GaN直驱方案的半导体公司，自成立至今已获得专利100多项。总部位于江苏苏州，在加州硅谷、深圳均设有研发基地和市场销售中心。
能华半导体采用IDM全产业链模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),蓝宝石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-on-SiC) 晶圆与器件的研发、设计、制造与销售。能华的6英寸/8英寸GaN晶圆和功率器件涵盖40V-1200V。
目前，公司已实现了GaN器件全功率范围的量产，主要应用市场包括消费电子、电动工具、数据中心、照明电源、便携储能、微型逆变器、电动汽车、智能电网等领域。
能华半导体，以塑造一个更绿色的世界为愿景，将持续用GaN为客户提供更高效更可靠的半导体产品。
发展历程
2021年：能华半导体成立
2013年：建立国内首条GaN研发中试线
2015年：承担国家专项项目开始产业化建设
2016年：启动GaN功率器件6寸/8寸产线
2017年：建设3000平米十级、百级无尘车间
2018年：6寸/8寸GaN功率器件通线
2020年：D Mode GaN功率器件实现量产，获得车规级认证 IATF16949
2021年：E Mode GaN功率器件实现量产，D Mode GaN直驱方案功率器件工业级布局
2022年：GaN功率器件出货1000万颗
2023年：GaN功率器件出货5000万颗，与多家头部企业达成战略合作
企业文化
能华愿景使命
客户第一，成就客户，共赢发展；积极向上，追求成长，迎接变化，务实创新！
能华核心价值观
以公司利益为核心，安全高效，务实创新，品质卓越，诚信敬业。
荣誉资质
主要产品
外延产品
8寸硅基外延片、6寸硅基外延片、碳化硅基外延片、蓝宝石基外延片
功率器件
DFN5*6、DFN8*8、TO220、TO220F、TO252
代加工平台
光刻、刻蚀、TSV、PECVD
