利用美国 UnitedSiC 创新的设备技术加速SiC的采用，使客户能够为社会最先进的应用提供业界领先的电源效率，尤其是在移动性，IT基础设施和可再生能源方面。
我们的愿景
使用我们的创新设备技术加速 SiC 的采用，使我们的客户能够为社会最先进的应用提供行业变革级别的电源效率，特别是在移动、IT 基础设施和可再生能源方面。
碳化硅走向主流
人类正在经历一场关于我们如何产生、转换、分配和使用电力的革命。随着世界从化石燃料转向更加可再生、节能和电气化的能源生态系统，电力转换过程的效率变得至关重要。
幸运的是，过去几十年对宽带隙研究的投资现已形成成熟的 SiC 功率器件供应链，从根本上改变了主流功率转换器的效率和功率密度。
致力于技术领先
我们的技术为我们的客户提供了最简单的途径来升级他们的传统电源设计或以最小的努力在他们的新设计中获得最高的功率密度。我们的技术可以直接替换 PFC、LLC 或 PSFB 拓扑的硅超结，并直接兼容任何 SiC MOSFET 竞争对手的栅极驱动要求。
此外，我们拥有 SiC 器件中性能最高的体二极管、最低的温度 Qrr、近 5V 的 EMI 抗扰度阈值电压以及出色的短路额定值。所有这一切都伴随着业界最广泛的 SiC 分立晶体管产品组合。
利用成长型市场的大趋势
UnitedSiC FET 在全球快速增长的市场中得到广泛认可，特别是在高压 DC-DC 电源转换拓扑（例如 LLC 和相移全桥）以及 AC-DC 应用（例如 6 开关 SiC 解决方案替代Vienna 整流器和图腾柱 PFC。在快速增长的 EV 电机驱动市场中，UnitedSiC 业界最高性能、最低 R(DS)-on FET，额定电压为 650 V 和 1200 V，正迅速成为 EV 电源设计人员的首选产品。
SiC FET 是提高性能和可靠性的主要贡献者，可降低下一代数据中心的整体系统成本。此外，我们还为工业车辆提供重要的充电时间和充电时长优势。最后，我们卓越的效率等级使 UnitedSiC 产品成为太阳能电池阵列技术的完美解决方案。鉴于这种类型的设计师接受度，很明显碳化硅器件正在成为这些快速增长市场的关键推动因素之一。
为什么选择 UnitedSiC？
强大的专利组合
展示的产品性能
广泛的产品范围
深厚的 SiC 专业知识
